FM28V020 推出V系列并口256Kb F-RAM器件
fm28v020 推出v系列并口256kb f-ram器件
世界顶尖的非易失性铁电存储器(f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出新型v系列串口和并口f-ram产品之第二款并口器件fm28v020。 fm28v020与其它v系列f-ram一样，具有较高的读写速度和较低的工作电压，其容量为256kb、工作电压为2.0至3.6v，并采用业界标准28脚soic封装，具有快速访问、无延迟(nodelay) 写入、无乎无限的读写次数及低功耗特点。fm28v020可用于工业控制、仪表、医疗、汽车电子、军事、游戏和计算机及其它应用领域中，作为需电池供电的sram的兼容替代产品。
ramtron市场拓展经理mike peters称：“fm28v020相比现有256kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的fm18l08比较之下，fm28v020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2v的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40mhz，是需电池供电的sram或nvsram的简便升级产品。” 关于fm28v020 fm28v020是配置为32k x 8的非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram)，读写操作与标准sram相似，能够在断电后保存数据，提供超过10年的数据保存能力，可消除需电池供电的sram (bbsram) 带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。去除了系统中的电池可以简化生产过程，减少系统维护，并且显得更加环保。f-ram具有的写入速度快，几乎无限的读写次数等特点 (写入次数大约为1014次)，使其优于其它类型的存储器。 fm28v020在系统内的工作方式与其它ram器件类似，可以用作标准sram的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可触发读写操作。由于f-ram存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以极度适用于需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。fm28v020可在-40°c至+85°c的整个工业环境温度范围内工作。 关于v系列f-ram ramtron 的v系列f-ram产品采用由ramtron 和德州仪器(ti)共同开发的先进130nm cmos生产工艺制造，所实现的器件性能改进包括： 提高存储器性能： 随着fm28v020的推出，256-kb 并口f-ram的存储周期已从140ns降低到90ns，比ramtron现有256-kb并口 f-ram 器件缩短64%。 spi和 i2c 串口v系列产品的读写性能则较ramtron现有串口f-ram 产品提高2至3倍。 更低的工作电压，更宽的电压范围： v系列f-ram由于采用德州仪器130nm f-ram制造工艺，现已具有设置低至2.0v工作电压的灵活性，让f-ram在更多电子系统的固有电压下工作。 fm28v020是不断增长的v系列产品之最新成员，v系列目前包括以下f-ram存储器 · fm28v100 (1mb并口f-ram) · fm28v020 (256kb 并口f-ram) · fm24v10 (1mb串口i2c f-ram) · fm25v10 (1mb串口spi f-ram) · fm24v05 (512kb串口i2c-ram) · fm25v05 (512kb串口pi f-ram) · fm24v02 (256kb串口i2c f-ram) · fm25v02 (256kb串口spi f-ram) 价格和供货：货周期为十周至十二周。 ramtron现提供采用符合“绿色” rohs标准的28脚soic封装的fm28v020样品，订购1万片，起价为每片3.49美元。
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ramtron市场拓展经理mike peters称：“fm28v020相比现有256kb并口存储器有多项性能提升，与目前广泛使用的fm18l08比较之下，fm28v020具有更快的访问速度和更短的读写周期，低至2v的工作电压则容许在更低的工作电流下工作，而且页面模式工作频率高达40mhz，是需电池供电的sram或nvsram的简便升级产品。” 关于fm28v020 fm28v020是配置为32k x 8的非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram)，读写操作与标准sram相似，能够在断电后保存数据，提供超过10年的数据保存能力，可消除需电池供电的sram (bbsram) 带来的诸如可靠性、功能缺陷和系统设计复杂性等问题。去除了系统中的电池可以简化生产过程，减少系统维护，并且显得更加环保。f-ram具有的写入速度快，几乎无限的读写次数等特点 (写入次数大约为1014次)，使其优于其它类型的存储器。 fm28v020在系统内的工作方式与其它ram器件类似，可以用作标准sram的兼容替代器件。只需开启芯片的使能引脚或改变地址，就可触发读写操作。由于f-ram存储器采用独特的铁电存储器工艺，具有非易失性的特点，所以极度适用于需要频繁或快速写入数据的非易失性存储应用。fm28v020可在-40°c至+85°c的整个工业环境温度范围内工作。 关于v系列f-ram ramtron 的v系列f-ram产品采用由ramtron 和德州仪器(ti)共同开发的先进130nm cmos生产工艺制造，所实现的器件性能改进包括： 提高存储器性能： 随着fm28v020的推出，256-kb 并口f-ram的存储周期已从140ns降低到90ns，比ramtron现有256-kb并口 f-ram 器件缩短64%。 spi和 i2c 串口v系列产品的读写性能则较ramtron现有串口f-ram 产品提高2至3倍。 更低的工作电压，更宽的电压范围： v系列f-ram由于采用德州仪器130nm f-ram制造工艺，现已具有设置低至2.0v工作电压的灵活性，让f-ram在更多电子系统的固有电压下工作。 fm28v020是不断增长的v系列产品之最新成员，v系列目前包括以下f-ram存储器 · fm28v100 (1mb并口f-ram) · fm28v020 (256kb 并口f-ram) · fm24v10 (1mb串口i2c f-ram) · fm25v10 (1mb串口spi f-ram) · fm24v05 (512kb串口i2c-ram) · fm25v05 (512kb串口pi f-ram) · fm24v02 (256kb串口i2c f-ram) · fm25v02 (256kb串口spi f-ram) 价格和供货：货周期为十周至十二周。 ramtron现提供采用符合“绿色” rohs标准的28脚soic封装的fm28v020样品，订购1万片，起价为每片3.49美元。
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