主要部件选型：MOSFET栅极驱动调整电路
点击“蓝字”关注rohm !本文将对电源ic bd7682fj的外置mosfet的开关调整部件和调整方法进行介绍。mosfet栅极驱动调整电路：r16、r17、r18、d17
为了优化外置mosfet q1的开关工作，由r16、r17、r18、d17组成一个调整电路，用来调节来自bd7682fj的out引脚的栅极驱动信号（参见电路图）。这个电路会对mosfet的损耗和噪声产生影响，因此需要边确认mosfet的开关波形和损耗边优化。
开关导通时的速度由串联插入栅极驱动信号线的r16和r17来调整。
开关关断时的速度由用来抽取电荷的二极管d17和r16的组合来调整。
通过减小各电阻值，可提高开关速度（上升/下降时间）。
在此次的电路示例中，r16＝10ω/0.25w，r17＝150ω，d17＝肖特基势垒二极管rb160l-60（60v/1a）。
准谐振转换器的开关损耗基本上不会在导通时产生，关断时的损耗占主导地位。
要想降低开关关断时的开关损耗，需要减小r16，提高开关关断速度。但这会产生急剧的电流变化，开关噪声会变大。
开关损耗和噪声之间存在着此起彼消（trade-off）的制约关系。所以需要在装入实际产品的状态下测量mosfet的温度上升（＝损耗）和噪声情况，并确认温度上升和噪声水平在容许范围内。请根据需要将上述常数作为起始线进行调整。
另外，由于r16中会流过脉冲电流，因此需要确认所用电阻的抗脉冲特性。
r18是mosfet栅极的下拉电阻，请以10kω～100kω为大致标准。
关键要点:调整栅极驱动信号，并优化开关晶体管的损耗和噪声。
加快开关的上升/下降时间可减少损耗，但开关噪声会变大。
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原文标题：主要部件选型：mosfet栅极驱动调整电路
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另外，由于r16中会流过脉冲电流，因此需要确认所用电阻的抗脉冲特性。
r18是mosfet栅极的下拉电阻，请以10kω～100kω为大致标准。
关键要点:调整栅极驱动信号，并优化开关晶体管的损耗和噪声。
加快开关的上升/下降时间可减少损耗，但开关噪声会变大。
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