第三代半导体中的明星元器件产品
近年来，「第三代半导体」这个名词频频进入我们的视野。尤其近年来「第三代半导体」在电动车、充电桩、高功率适配器等应用中的爆发式增长，使得其越来越贴近我们的生活。
业界一般把禁带宽度（eg）大于或等于2.3ev的半导体材料称之为宽带隙半导体（wide band gap semiconductors）材料，也称「第三代半导体」材料。相比较以si（硅）、ge（锗）为代表的第一代半导体，「第三代半导体」可以承受更高功率、更高频率，并且拥有更优异的散热性。
近年来，特别是在全球变暖的大环境下，低碳减排已然是大势所趋，与此同时，5g通讯技术趋于成熟，而电动车、数据中心与能源应用也在大量落地和全面铺开，这使得以gan（氮化镓）、sic（碳化硅）为代表的「第三代半导体」已经开始在很多行业逐渐崭露头角。
其中，gan（氮化镓）主要应用于光电器件和微波射频器件，诸如4g / lte基站的rf包络跟踪、自动驾驶汽车、机器人、无人机和安全系统的光检测和测距（激光雷达）系统等应用，这些都是能够充分发挥高速gan（氮化镓）器件性能优势的应用场景。与此同时，sic（碳化硅）在高功率、高电压电力电子应用上性能优异，能提供更高效率的电源转换能力，带来更好的节能效果，有望部分取代原本以硅为基础的功率元件，其主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、通讯、消费电子、新能源交通等领域，特别是在延长电动车电池的续航力，被给予厚望。
既然第三代半导体的性能优势这么突出，那么你想不想认识一些第三代半导体中的明星元器件产品？在本期视频中，我们就跟着达尔闻妮姐来结识几款——
看完了视频，我们现在将视频中介绍的几款元器件及其相关技术资源总结如下，供大家参考：
lmg3410r050rwht
具有集成驱动器和保护功能的600v 50mω氮化镓mosfet
lmg341xr050 氮化镓功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。lmg341x 的固有优势超越了硅mosfet，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复特性，以及可降低 emi 的低开关节点振铃。这些优势特性使得该器件可支持诸如图腾柱 pfc 之类的高功率密度、高效率拓扑。
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digi-key零件编号: 296-lmg3410r050rwhttr-nd -卷带（tr） 296-lmg3410r050rwhtct-nd -剪切带（ct） 296-lmg3410r050rwhtdkr-nd -digi-reel得捷定制卷带
mastergan1
高功率密度600v双增强模式氮化镓hemt半桥驱动器
mastergan1 是一款先进的系统级功率封装，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式 gan 晶体管。集成功率 gan 具有150mω的 rds（on）和650v漏源击穿电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。
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digi-key零件编号: 497-mastergan1-nd
gan041-650wsb
650v，35mω氮化镓mosfet，to-247封装
gan041-650wsb 是一款650v，35mω to-247封装氮化镓（gan）场效应晶体管。结合nexperia最新的高压 gan hemt h2 技术和低压硅mosfet技术，可提供卓越的可靠性和性能。
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digi-key零件编号: 1727-gan041-650wsbq-nd
nth4l040n120sc1
碳化硅mosfet，n沟道，1200v，40mω，to247−4l封装
nth4l040n120sc1 碳化硅（sic）mosfet采用了一种全新技术，与硅器件相比，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。此外，低on阻值和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅电荷。因此，该器件的应用可以为系统设计带来诸多好处，包括更高的效率、更快的工作频率、更大功率密度、减少 emi ，以及减小产品尺寸。
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onsemi官网资料链接
digi-key 零件编号: 488-nth4l040n120sc1-nd
e3m0280090d
碳化硅功率mosfet，e系列汽车级n沟道增强型产品
wolfspeed 公司发布了全新的e系列产品，这是一个强大的 sic 半导体器件家族，用于电动汽车（ev）和可再生能源市场，为车载汽车电源转换系统、车载充电、太阳能逆变器和其他户外应用提供最高的可用功率密度和耐用性。
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wolfspeed官网资料链接
digi-key零件编号: e3m0280090d-nd
什么是四层PCB？四层PCB的主要优势
紫米双口qc3.0车充拆解 高性价比爆款车充
为何传统家电还未入局扫地机市场，小米、360纷纷出征？
一体化微气象传感器技术参数
重磅！云听荣获2021年度全国广播电视媒体融合先导单位称号
第三代半导体中的明星元器件产品
前后2000万双摄,oppor11有望成为新一代拍照旗舰标杆?
比特币和加密货币在采矿中已成为了一个重要问题
Mini LED上车加速：十大座舱场景值得关注
数据中心网络自动驾驶指数报告出炉
14家半导体行业上市公司相继批露2018年半年度报告
mysql数据库如何创建数据表
应用于通信网络工程建设中的电缆测试仪的方案设计
CMOS技术制造传感器将彻底改变传感器市场
这三种学习模式在于深度学习的未来
兆易创新回应中芯国际事件：公司不会受到较大影响
腾讯正式发布首款自研服务器，面向云场景的极致设计
DIY 家庭防盗报警装置设计制作（图文/代码）
电子产品的微型化是开发新解决方案的动力
地平线与中科创达宣布成立合资公司
业界一般把禁带宽度（eg）大于或等于2.3ev的半导体材料称之为宽带隙半导体（wide band gap semiconductors）材料，也称「第三代半导体」材料。相比较以si（硅）、ge（锗）为代表的第一代半导体，「第三代半导体」可以承受更高功率、更高频率，并且拥有更优异的散热性。
近年来，特别是在全球变暖的大环境下，低碳减排已然是大势所趋，与此同时，5g通讯技术趋于成熟，而电动车、数据中心与能源应用也在大量落地和全面铺开，这使得以gan（氮化镓）、sic（碳化硅）为代表的「第三代半导体」已经开始在很多行业逐渐崭露头角。
其中，gan（氮化镓）主要应用于光电器件和微波射频器件，诸如4g / lte基站的rf包络跟踪、自动驾驶汽车、机器人、无人机和安全系统的光检测和测距（激光雷达）系统等应用，这些都是能够充分发挥高速gan（氮化镓）器件性能优势的应用场景。与此同时，sic（碳化硅）在高功率、高电压电力电子应用上性能优异，能提供更高效率的电源转换能力，带来更好的节能效果，有望部分取代原本以硅为基础的功率元件，其主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、通讯、消费电子、新能源交通等领域，特别是在延长电动车电池的续航力，被给予厚望。
既然第三代半导体的性能优势这么突出，那么你想不想认识一些第三代半导体中的明星元器件产品？在本期视频中，我们就跟着达尔闻妮姐来结识几款——
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具有集成驱动器和保护功能的600v 50mω氮化镓mosfet
lmg341xr050 氮化镓功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。lmg341x 的固有优势超越了硅mosfet，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复特性，以及可降低 emi 的低开关节点振铃。这些优势特性使得该器件可支持诸如图腾柱 pfc 之类的高功率密度、高效率拓扑。
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高功率密度600v双增强模式氮化镓hemt半桥驱动器
mastergan1 是一款先进的系统级功率封装，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式 gan 晶体管。集成功率 gan 具有150mω的 rds（on）和650v漏源击穿电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。
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gan041-650wsb
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