怎么在D-Flash/EEPROM中加载初始化的变量
由于在暑假匆忙接收的嵌入式项目中需要使用特别大的数组，非分页ram的内存不够用了，没办法，硬着头皮尝试使用分页ram，但是完全没有单片机的基础，导致极其的困难。之前写程序都是按照纯软件的思维，主要考虑架构，不会考虑到每个变量具体存在哪个物理地址这么底层的问题，结果被飞思卡尔这分页地址、prm文件什么的搞得一头雾水，而网上的资料又少，讲的又大同小异的笼统，最后写出来的程序因为这分页地址的原因存在各种问题(还以为把变量放到分页ram了，结果现在稍微懂了点回去看，发现其实很多根本还是分配在非分页区。晕倒~。但是居然还能相对正常运行也是很神奇)。这些天各种找相关的资料，结果发现在codewarrior的官方文档资料里其实把我想知道的都讲的很清楚了(还是官方文档给力，以后学什么东西直接找官方文档，不去到处找网上一堆零零散散的资源来学了)。本着学习的态度，将逐步把官方文档翻译一遍，供大家一起交流学习进步。
s12p、s12xex、s12xs版本的hi-wave中的d-flash编程支持。
这个文档描述了怎么在d-flash/eeprom中加载初始化的变量。这个特性只用于large地址模型。
用于下列设备的flash编程算法包含对这些区域的编程支持。为了有效率的使用它，需要调整项目。
这篇文档解释了怎么调整项目以使能编程d-flash。
支持的设备
这个特性用于以下设备：
s12xep100
s12xep768
s12xeq512
s12xeq384
s12xeg384
s12xes384
s12xet256
s12xea256
s12xeg128
s12xea128
s12xs256
s12xs128
s12xs64
s12p128
s12p96
s12p64
s12p32
调整项目
可能需要调整项目配置以使能编程支持，这与在链接器配置文件和(当如果需要加载s-record格式数据时)烧写器命令文件中的内存区域定义有关。
prm文件
prm文件需要在满足以下前提下定义d-flash区域：
d-flash segments应该使用24位逻辑地址定义。
比如，应该在s12xep100的prm文件segment列表中包含d-flash定义：
eeprom_00 = read_only0x000800to0x000bff; eeprom_01 = read_only0x010800to0x010bff; eeprom_02 = read_only0x020800to0x020bff;...eeprom_1f = read_only0x1f0800to0x1f0bff;
应该在placement列表中把常量放到d-flash中，比如：
/* constant variables */rom_varintoeeprom_00, eeprom_01, eeprom_1f; myseg0intoeeprom_02; s-record生成
取决于你的应用要干什么，可能你需要加载s-record文件，在这种情况下，你可能需要调整烧写器脚本文件(burner.bbl)以包含需要的区域到生成的s19镜像中。下面是s12xep100 .bbl文件的片段：
.../* logical banked d-flash to logical */ len =0x000400origin =0x000800destination =0x000800sendbyte1%abs_file%origin =0x010800destination =0x010800sendbyte1%abs_file%origin =0x020800destination =0x020800sendbyte1%abs_file%...origin =0x1f0800destination =0x1f0800sendbyte1%abs_file%...调试
在调试时，可以在connection菜单的flash菜单项中找到擦除d-flash区域的选项(connection的名字是和当前使用的链接一致的)。
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用于下列设备的flash编程算法包含对这些区域的编程支持。为了有效率的使用它，需要调整项目。
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支持的设备
这个特性用于以下设备：
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s12xep768
s12xeq512
s12xeq384
s12xeg384
s12xes384
s12xet256
s12xea256
s12xeg128
s12xea128
s12xs256
s12xs128
s12xs64
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s12p96
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s12p32
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prm文件
prm文件需要在满足以下前提下定义d-flash区域：
d-flash segments应该使用24位逻辑地址定义。
比如，应该在s12xep100的prm文件segment列表中包含d-flash定义：
eeprom_00 = read_only0x000800to0x000bff; eeprom_01 = read_only0x010800to0x010bff; eeprom_02 = read_only0x020800to0x020bff;...eeprom_1f = read_only0x1f0800to0x1f0bff;
应该在placement列表中把常量放到d-flash中，比如：
/* constant variables */rom_varintoeeprom_00, eeprom_01, eeprom_1f; myseg0intoeeprom_02; s-record生成
取决于你的应用要干什么，可能你需要加载s-record文件，在这种情况下，你可能需要调整烧写器脚本文件(burner.bbl)以包含需要的区域到生成的s19镜像中。下面是s12xep100 .bbl文件的片段：
.../* logical banked d-flash to logical */ len =0x000400origin =0x000800destination =0x000800sendbyte1%abs_file%origin =0x010800destination =0x010800sendbyte1%abs_file%origin =0x020800destination =0x020800sendbyte1%abs_file%...origin =0x1f0800destination =0x1f0800sendbyte1%abs_file%...调试
在调试时，可以在connection菜单的flash菜单项中找到擦除d-flash区域的选项(connection的名字是和当前使用的链接一致的)。
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