Vishay推出600V EF系列快速体二极管MOSFET，导通电阻比其前代器件低29%
第四代n沟道器件降低导通和开关损耗，提高能效
宾夕法尼亚、malvern — 2020年12月23日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出最新第四代600 v ef系列快速体二极管mosfet 器件---sihh070n60ef。vishay siliconix n沟道sihh070n60ef导通电阻比其前代器件低29 %，为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 v mosfet的重要优值系数（fom）创业界新低。
vishay提供丰富的mosfet技术支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着sihh070n60ef的推出，以及即将发布的第四代600 v ef系列产品，vishay可满足电源系统架构设计前两个阶段提高能效和功率密度的要求—包括图腾柱无桥功率因数校正（pfc）和软切换dc/dc转换器拓扑结构。
sihh070n60ef基于vishay最新高能效e系列超结技术，10 v条件下典型导通电阻仅为0.061 ω，超低栅极电荷降至50 nc。器件的fom为3.1 ω*nc，比同类最接近的mosfet低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源。sihh070n60ef有效输出电容co（er）和co（tr）分别仅为90 pf和560 pf，可改善零电压开关（zvs）拓扑结构开关性能，如llc谐振转换器。器件的co（tr） 比同类紧随其后的mosfet低32 %。
日前发布的器件采用powerpak® 8x8封装，符合rohs标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值100 %通过uis测试。
sihh070n60ef现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。
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sihh070n60ef基于vishay最新高能效e系列超结技术，10 v条件下典型导通电阻仅为0.061 ω，超低栅极电荷降至50 nc。器件的fom为3.1 ω*nc，比同类最接近的mosfet低30 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源。sihh070n60ef有效输出电容co（er）和co（tr）分别仅为90 pf和560 pf，可改善零电压开关（zvs）拓扑结构开关性能，如llc谐振转换器。器件的co（tr） 比同类紧随其后的mosfet低32 %。
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