达林顿晶体管增益多少 达林顿晶体管增益计算公式
达林顿晶体管增益多少
达林顿晶体管的增益可以达到100倍以上。
达林顿晶体管增益计算公式
达林顿晶体管增益计算公式为：gain = （vce / vbe） * （ic / ib），其中vce为晶体管的集电极-发射极电压，vbe为晶体管的发射极-基极电压，ic为晶体管的集电极电流，ib为晶体管的基极电流。
达林顿晶体管的电流增益介绍
达林顿晶体管的结构如下图所示，这里使用了npn对晶体管。两个晶体管的集电极连接在一起，晶体管trl的发射极激励tr2晶体管的基极端。这种结构实现了β倍增，因为对于基极和集电极电流〈ib和b.ib），其中电流增益大于定义为：
lc=lcl+ic2
lc= 31.ib+β2.ib2
但是晶体管tr1的基极电流等于ie1（发射极电流〉，tr1晶体管的发射极连接到晶体管tr2的基极端，所以有：ib2=iel= lcl+ib= b1.ilb＋ib=ib（b1+1）
将这个ib2值代入上式：
lc= b1.ib+$2.ib（b1 + 1）ic= b1.ib＋β2.ib β1+β2.ib=（b1+（b2.31）+β2）.ib
在上述等式中，β1和β2是各个晶体管的增益。
其中，第一个晶体管的总电流增益乘以由β指定的第二个晶体管，并且一对双极晶体管组合形成一个具有非常高i/p电阻和β值的单个达林顿晶体管。
电流增益是晶体管最重要的特性，用hfe表示。当达林顿晶体管导通时，电流通过负载提供给电路：负载电流=i/p电流x晶体管增益
每个晶体管的电流增益各不相同，对于普通晶体管，电流增益通常约为100。因此可用于驱动负载的电流是晶体管的i/p的100倍。在某些应用中，打开晶体管的i/p电流量很低。因此，特定的晶体管无法为负载提供充足的电流。如果无法增加输入电流，则需要增加晶体管的增益。这个过程可以通过使用达林顿对来完成。
达林顿晶体管包含两个晶体管，但它充当单个晶体管，电流增益相等。总电流增益等于晶体管1和晶体管2的电流增益。例如，如果有两个电流增益相似的晶体管，即100。
那么，总电流增益（hfe）=晶体管1的电流增益（hfe1）x晶体管2的电流增益hfe2），即：100x100=10，000
可以发现，与单个晶体管相比，它提供了大大增加的电流增益。因此，这将允许低i/p电流切换巨大的负载电流。
通常情况下，要开启晶体管，晶体管的基极i|p电压必须大于（》）0.7伏。在达林顿晶体管中，使用了两个晶体管。所以基极电压将加倍0.7×2=1.4v。当达林顿晶体管导通时，发射极和集电极两端的电压降将在0.9v左右。因此，如果电源电压为5v，则负载两端的电压将为（5v- 0.9v = 4.1v）。
文章来源：ic先生、chate
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达林顿晶体管的增益可以达到100倍以上。
达林顿晶体管增益计算公式
达林顿晶体管增益计算公式为：gain = （vce / vbe） * （ic / ib），其中vce为晶体管的集电极-发射极电压，vbe为晶体管的发射极-基极电压，ic为晶体管的集电极电流，ib为晶体管的基极电流。
达林顿晶体管的电流增益介绍
达林顿晶体管的结构如下图所示，这里使用了npn对晶体管。两个晶体管的集电极连接在一起，晶体管trl的发射极激励tr2晶体管的基极端。这种结构实现了β倍增，因为对于基极和集电极电流〈ib和b.ib），其中电流增益大于定义为：
lc=lcl+ic2
lc= 31.ib+β2.ib2
但是晶体管tr1的基极电流等于ie1（发射极电流〉，tr1晶体管的发射极连接到晶体管tr2的基极端，所以有：ib2=iel= lcl+ib= b1.ilb＋ib=ib（b1+1）
将这个ib2值代入上式：
lc= b1.ib+$2.ib（b1 + 1）ic= b1.ib＋β2.ib β1+β2.ib=（b1+（b2.31）+β2）.ib
在上述等式中，β1和β2是各个晶体管的增益。
其中，第一个晶体管的总电流增益乘以由β指定的第二个晶体管，并且一对双极晶体管组合形成一个具有非常高i/p电阻和β值的单个达林顿晶体管。
电流增益是晶体管最重要的特性，用hfe表示。当达林顿晶体管导通时，电流通过负载提供给电路：负载电流=i/p电流x晶体管增益
每个晶体管的电流增益各不相同，对于普通晶体管，电流增益通常约为100。因此可用于驱动负载的电流是晶体管的i/p的100倍。在某些应用中，打开晶体管的i/p电流量很低。因此，特定的晶体管无法为负载提供充足的电流。如果无法增加输入电流，则需要增加晶体管的增益。这个过程可以通过使用达林顿对来完成。
达林顿晶体管包含两个晶体管，但它充当单个晶体管，电流增益相等。总电流增益等于晶体管1和晶体管2的电流增益。例如，如果有两个电流增益相似的晶体管，即100。
那么，总电流增益（hfe）=晶体管1的电流增益（hfe1）x晶体管2的电流增益hfe2），即：100x100=10，000
可以发现，与单个晶体管相比，它提供了大大增加的电流增益。因此，这将允许低i/p电流切换巨大的负载电流。
通常情况下，要开启晶体管，晶体管的基极i|p电压必须大于（》）0.7伏。在达林顿晶体管中，使用了两个晶体管。所以基极电压将加倍0.7×2=1.4v。当达林顿晶体管导通时，发射极和集电极两端的电压降将在0.9v左右。因此，如果电源电压为5v，则负载两端的电压将为（5v- 0.9v = 4.1v）。
文章来源：ic先生、chate
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