NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
1.描述
np3416bemr采用先进的沟槽提供出色的rds（开）、低栅电荷的技术和低至1.8v的栅极电压工作。这个该器件适合用作负载开关或pwm申请。
2.一般特征
vds=20v，id=4a
rds(on)（典型值）=18.5 mω@vgs=4.5 v
rds（on）（典型值）=23.3 mω@vgs=2.5v
（1）高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面贴装封装
额定esd：2500v hbm
3.应用程序
pwm应用
负荷开关
4.包装
sot-23-3l
5.示意图
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NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
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用模态域分析问题
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