SJ MOSFET受青睐 功率电子市场未来竞争加剧
市场研究机构 yole developpement 推出超结金氧半场效晶体管（super junction metal-oxide semiconductor field-effect transistor，sj mosfet）的市场更新报告，深度剖析高压（400伏特以上） sj mosfet 市场指标与预测、深沟式（deep trench）与多磊晶（multi-epi）技术的差异以及新兴业者的竞争分析。
yole developpement 指出，sj mosfet技术市场有2/3皆应用于消费型产品，像是台式电脑或是游戏机的电源供应器，虽然这些产品的市场需求衰退，但sj mosfet在其它产品的应用却如雨后春笋出现，其中以平板电脑的电源供应器最具增长空间，预估在2013至2018年间将有高达32%的复合年增长率。但sj mosfet目前最常被应用仍为个人电脑（桌电及笔电）之电源供应器与电视机，约占整体市场的一半以上。
yole developpement 功率电子领域分析师alexandre avron表示，sj mosfet之所以被前述产品广泛应用最重要的原因在于其体积的优势，与平面式（planar） mosfet相比，sj mosfet因为发热量低，所以体积能够大幅的缩小。同时也不能忽视混合动力（hybrid）车与电动车的市场，这些市场现在可能甚至不到500万美元，但到2018年时却将可能超过1亿美元。
yole developpement这份报告也厘清sj mosfet在电动车与油电混合车市场的发展情形，明确地分析sj mosfet将如何被运用在直流/直流（dc/dc）转换器及充电器，以及其精确市场指标的预测依据。
avron指出，sj mosfet对产业应用来说却不太有吸引力，主要因为这些应用的全桥电路（h-bridge）操作多不需以高频转换，只有在特定的拓扑像是多层次或低成本低电源的解决方案，如小型不断电系统 （ups） 或住宅型太阳能系统 （residential pv） 才有用武之地，但平面型的mosfet或是绝缘栅双极晶体管（igbt）就可以满足这些应用技术层面的需求，成本还更加低廉，因此sj mosfet目前发展仍局限于高阶的应用。
sj mosfet的技术主要有两种，其一为由英飞凌（infineon）开发的多磊晶技术，藉由掺杂（doping）磊晶在磊晶层上形成岛状的掺杂区域，使该区域扩散形成一个氮掺杂（n-doped）平面。另一种技术则采用深反应离子蚀刻挖出沟槽状结构，再将氮掺杂材料填补于沟槽，制造出超接面的结构，开发此科技的业者主要为东芝（toshiba），快捷半导体（fairchild semiconductor） 及艾斯摩斯科技（icemos technology）。
avron指出，科技的进展使得多磊晶与深蚀刻技术发展越发竞争，东芝刚推出第4代dtmos，是一种具备较小间距（pitch）的深沟槽结构mosfet，可采用更小的晶粒且改善导通电阻（rdson），虽然制造成本仍高于英飞凌的coolmos，但将会越来越具竞争力。
化合物半导体（compound semiconductor）是sj mosfet的强劲竞争对手，如碳化硅（sic）因为能承受较高的电压，有潜力应用于高阶解决方案，预计到2015年前硅都还会是主流，另外igbt兼具价格与转换效率两者优势，美商国际整流器（international rectifier）正在研发足以与sj mosfet相抗衡的高速igbts，到头来sj mosfet可能定位于这两者中间，并视电压、应用及转频的需求，而与碳化硅、高速igbt、igbt或氮化镓相互竞争。
这份报告也包含封装技术的革新，2010年意法半导体（st microelectronics）与英飞凌双双以极小尺寸的一般封装技术保持领先地位，体积大小向来是消费型应用的关键，此技术提供的小体积优势与消费者应用需求完美契合。
2012年功率电子一片惨淡，igbt的营收下跌20~25%，但同时sj mosfet却增长8.3%，yole developpement预估涨势将会一路持续至2018年，并超越10亿美元大关，此预测彰显了sj mosfet技术的必要性。2011年时sj mosfet产能远无法应付需求，因此2012年时市场才未受大环境影响，对业者来说这样的供需失衡恰好作为缓冲，故 yole developpement相信市场将会在2013年回复正常供需平衡。
sj mosfet市场规模预测
来源：yole developpement
随着越来越多的业者加入竞争，显现sj mosfet的发展潜力，如同这份报告中所指出，过去36个月以来已经有8家新的业者加入竞争，其中中国的晶圆代工及其无晶圆厂的合作对象们，将会逐渐对目前几家具高市占的龙头带来威胁。
随着技术逐渐普及，越来越多的业者也随之投入竞争，如美格纳半导体（magnachip）及安森美半导体（on semiconductor），此技术也逐渐普及于中国各晶圆厂。2010年的市场主要由传统几家业者瓜分，英飞凌身为将此技术商业化的第一位，占据绝对的优势，但是最近一些业者的结盟合作将使竞争更加白热化，逐渐均分市占。
且整合业者也跳出来表示他们不在乎制造的品牌，而是着重于规格是否能符合装置的需求，为小型业者带来利多。yole developpement预估，随着中国，***及日本的晶圆代工业者与装置业者加入战场，相信市场将逐渐均匀瓜分，许多小型业者加总起来，将会逐渐鲸吞蚕食龙头业者的市占。
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yole developpement 指出，sj mosfet技术市场有2/3皆应用于消费型产品，像是台式电脑或是游戏机的电源供应器，虽然这些产品的市场需求衰退，但sj mosfet在其它产品的应用却如雨后春笋出现，其中以平板电脑的电源供应器最具增长空间，预估在2013至2018年间将有高达32%的复合年增长率。但sj mosfet目前最常被应用仍为个人电脑（桌电及笔电）之电源供应器与电视机，约占整体市场的一半以上。
yole developpement 功率电子领域分析师alexandre avron表示，sj mosfet之所以被前述产品广泛应用最重要的原因在于其体积的优势，与平面式（planar） mosfet相比，sj mosfet因为发热量低，所以体积能够大幅的缩小。同时也不能忽视混合动力（hybrid）车与电动车的市场，这些市场现在可能甚至不到500万美元，但到2018年时却将可能超过1亿美元。
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avron指出，sj mosfet对产业应用来说却不太有吸引力，主要因为这些应用的全桥电路（h-bridge）操作多不需以高频转换，只有在特定的拓扑像是多层次或低成本低电源的解决方案，如小型不断电系统 （ups） 或住宅型太阳能系统 （residential pv） 才有用武之地，但平面型的mosfet或是绝缘栅双极晶体管（igbt）就可以满足这些应用技术层面的需求，成本还更加低廉，因此sj mosfet目前发展仍局限于高阶的应用。
sj mosfet的技术主要有两种，其一为由英飞凌（infineon）开发的多磊晶技术，藉由掺杂（doping）磊晶在磊晶层上形成岛状的掺杂区域，使该区域扩散形成一个氮掺杂（n-doped）平面。另一种技术则采用深反应离子蚀刻挖出沟槽状结构，再将氮掺杂材料填补于沟槽，制造出超接面的结构，开发此科技的业者主要为东芝（toshiba），快捷半导体（fairchild semiconductor） 及艾斯摩斯科技（icemos technology）。
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