第三代半导体central issue
2020年10月,国星光电成功举办了首届国星之光论坛,论坛上国星光电宣布将紧抓国产化机遇,迅速拓展第三代半导体新赛道。近期,国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品,在新的赛道上迈出了坚实的步伐。
01
新赛道 开新局
第三代半导体是国家2030计划和“十四五”国家研发计划的重要发展方向。与传统的硅基半导体相比,以碳化硅(sic)、氮化镓(gan)为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外,还具有高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等特点。
风乘国家“十四五”对半导体集成电路领域的规划,国星光电在“三代半封测”领域大力布局,在传承“led封测”高可靠性的品质管理体系基础上,致力于打造高可靠性及高品质优势的“专业三代半功率封测企业”。
02
新方向 创新品
目前,国星光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列,包括:sic功率器件、gan-dfn器件、功率模块。国星光电打造高可靠性、高品质的功率器件封测企业,坚定高性能、高可靠性、高品质的产品路线。
●sic功率器件
国星光电sic功率器件小而轻便,反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高,拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条sic功率器件拳头产品线:sic-mosfet、sic-sbd;拥有4种封装结构(to-247、to-220、to-263、to-252);可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。
●gan-dfn器件
国星光电的gan-dfn器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势,使其尤适用于功率半导体器件,降低节能和系统总成本的同时,工作频率更高,具有极高的功率密度和系统效率,可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率,广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。
●功率模块
国星光电第三代半导体功率模块,采用自主创新的架构及双面高效散热设计,具有优越的电性能和热性能,杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势,其功率密度大,产品体型小,可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域,满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。
03
“星”速度 见实效
为做好技术储备积累,满足市场需求,2020年国星光电便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。目前,国星光电第三代半导体新品已正式推出,其中,to-220/to247系列的sic-mosfet和sic-sbd产品已经进入了试产阶段,并且在样品阶段完成了aec-q101车规级标准的摸底测试验证工作。to-247-3l的性能达到1200v、40a、80mω,to-220-3l达到1200v、13a、160mω。
与此同时,公司产品已送至第三方有资质的机构,正在依据aec-q101、jesd22、milstd-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。
未来,在国家“十四五”规划的伟大蓝图下,国星光电定将持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化,为国家战略安全、为第三代半导体国产化贡献力量。
原文标题:重磅 | 国星光电推出第三代半导体系列新产品
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