Intel的7nm基于EUV光刻技术有望2020年底推出 10nm或将成为Intel最短命的一代制程
原定2016年底量产的10nm拖到了2019年底，intel目前仅敢在公开市场拿出cannon lake家族的“独苗”i3-8121u撑门面。可是它仅仅双核设计，甚至连核显还给屏蔽了，足见产能的尴尬。
intel的10nm之所以连续跳票，原因说来也简单，即初期设定的工艺目标过于激进。intel的10nm仍然是借助193nm波长的duv（深紫外）光刻机，导致要达到既定晶体管密度遇到极大困难，可“傲娇的”巨头又不愿在参数上放水（毕竟要践行自己10nm等于台积电7nm的“承诺”），使得进度一拖再拖。
不过，这番经历似乎要慢慢变成intel的宝贵财富。
在参加纳斯达克第39届投资会议时，intel首席工程官兼技术、系统架构和客户端产品部分总裁murthy renduchintala透露，7nm是独立的体系和团队，目前的进展他非常满意，在充分吸收10nm的教训后，完全按照内部计划演进。
murthy表示，intel的7nm基于euv光刻技术，将重新在微观规模水平上兑现摩尔定律。
然而，intel的7nm一直很保密，at猜测应该原计划是10nm后第四年推出，所以就是2020年底。如果成真，那么10nm就将是intel最短命的一代制程。
at还估计，intel可能需要配置20~40台asml的7nm euv光刻机来达到月产10万片的能力。ps：7nm euv光刻机单台售价1.2亿美元。
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