介绍一款24V输出开关电源
下图为一款24v输出开关电源原理图：
从上图我们可以看出，这个电源属于典型的反激转换型开关电源，我们也可以称之为回扫变压器型开关电源。这个电路从功能上大致可以分为电源输入电路，启动电路，主开关电路，保护电路，二次绕组整流滤波电路及反馈稳压电路。
电源输入电路：
主要由保险管f1、差模电容c11、c12；共模扼流圈l1、ntc、共模c3与c6；整流器d6；高压滤波电容e2、e3组成。
启动电路主要由r5；r14；滤波电阻e1和稳压二极管z1组成。
主开关电路由芯片1m0880与周围元器件共同组成。
保护电路：由vd1；c10和r8组成高压尖峰吸收保护线路，由c4和r3组成mos管开关保护线路；由c9和r1组成的二极管开关保护线路。
二次绕组整流滤波电路元器件就比较复杂，我们在下面再详细介绍。
我从网络上下载了主芯片的内部结构图，如下图所示：
规格书里介绍说，这款是周期过电流限制，具有过载、过压保护功能、欠压锁定、软启动、内部温度关断等优良的保护特性。
工作原理：
电源经保险管f1输入，电容c11、c12与扼流圈l1组成滤除电网共模干扰；c11、c12安规电容，电容c3和c6用于滤除电网差模干扰。
ntc是负温度系数热敏电阻，刚上电时电阻值较大，正常工作时，发热后电阻阻值变得较小，用于防止上电瞬间电网高压大电流对滤波电容e2、e3的冲击。
vd5为整流桥，将交流电压整流成脉动电压，再经e2、e3滤波，图中有个细节，那就是e2和e3都是200v耐压的电容，所以我们要将e2和e3进行串联；r9和r11分别e2和e3的放电电阻，在外接电源切断，芯片不能正常工作时，r9和r11就会将e2和e3上残留的电能进行释放，以免对人体意外触电。
r5为启动电阻，电压加到芯片的供电端，一旦系统正常工作后，二次绕组经vd4整流，e1滤波给芯片提供电源，电阻r12与电容e1组成rc滤波电路，提高电源的稳定性。稳压管z1用于限制电压过高，防止损坏芯片，正常工作时，二次绕组的输出电压一般不会超过z1的稳压值。
vd1、c10和r8组成rcd尖峰吸收电路，吸收芯片内部mos管截止时一次绕组产生的尖峰电压。同理电阻r3和电容c4并联在芯片内部场效应管两端，也是起到保护作用。这种运用非常普遍，尤其是在可控硅电路中最为常见。
二次绕组整流由vd3承担，e3~e7为输出端滤波电容，5只470uf电容并联，相当于2350uf的容量。另外电容与l2构成π型滤波线路，输出稳定电压，纹波电压小，r13为电容的负载电阻，也可以称为放电电阻。r4为发光二极管ds1的限流电阻，用于指示电源正常工作与否。
稳压电路由电阻r2、r7、rw1和431共同组成，根据参数，我们可以计算出二次绕组的输出电压为：uo=2.5*【1+r7/（r2+rw1）】；调节rw1的阻值，当rw1=0时，输出电压为27.5v；当rw=2k时，输出电压为22.6v。
稳压电路主要依靠431来平衡输出电压，当我们电源输出电压升高时，431的参考端电压也同步上升，驱动能力增强，经光耦拉低芯片的反馈fb脚电压，使得芯片开关占空比减小，输出电压相应降低，平衡了上升的电压值，达到自动控制平衡效果。
软启动功能是由芯片5脚来控制，初始上电瞬间，反馈信号还没有建立时，软启动可以限制芯片内部场效应管导通的最大电流，防止击穿。
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电源输入电路：
主要由保险管f1、差模电容c11、c12；共模扼流圈l1、ntc、共模c3与c6；整流器d6；高压滤波电容e2、e3组成。
启动电路主要由r5；r14；滤波电阻e1和稳压二极管z1组成。
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保护电路：由vd1；c10和r8组成高压尖峰吸收保护线路，由c4和r3组成mos管开关保护线路；由c9和r1组成的二极管开关保护线路。
二次绕组整流滤波电路元器件就比较复杂，我们在下面再详细介绍。
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工作原理：
电源经保险管f1输入，电容c11、c12与扼流圈l1组成滤除电网共模干扰；c11、c12安规电容，电容c3和c6用于滤除电网差模干扰。
ntc是负温度系数热敏电阻，刚上电时电阻值较大，正常工作时，发热后电阻阻值变得较小，用于防止上电瞬间电网高压大电流对滤波电容e2、e3的冲击。
vd5为整流桥，将交流电压整流成脉动电压，再经e2、e3滤波，图中有个细节，那就是e2和e3都是200v耐压的电容，所以我们要将e2和e3进行串联；r9和r11分别e2和e3的放电电阻，在外接电源切断，芯片不能正常工作时，r9和r11就会将e2和e3上残留的电能进行释放，以免对人体意外触电。
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vd1、c10和r8组成rcd尖峰吸收电路，吸收芯片内部mos管截止时一次绕组产生的尖峰电压。同理电阻r3和电容c4并联在芯片内部场效应管两端，也是起到保护作用。这种运用非常普遍，尤其是在可控硅电路中最为常见。
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