慧荣科技NVMe 2.0实现混合式NAND操作

随着固态硬盘在市场上的大量应用,大数据时代之下的ai、人工智能、高规格视频等应用与技术对存储的要求也越来越高。固态硬盘nand层数越来越密,主控性能也逐年攀升,与固态硬盘相关的技术、规范也在随之更新。
其中,sata率先成为个人电脑中连接ssd的主要方式。但是由于设计之初sata作为串行接口,采用ahci规范,只有1个深度为32的命令队列。伴随着时间的推移,越来越难满足速度日益提高的ssd。于是,高端ssd开始采用pcie总线以提供更高性能,但由于没有统一标准,需使用非标准规范的接口。
nvme的技术工作始于2009年,由来自全球90多家公司组成的nvm express工作组制定相关规范。由于其拥有65535个命令队列,每个队列都可以深达65536个命令,同时也充分使用了msi的2048个中断向量优势,大大减小延迟。nvme在性能和标准化上的大为改进,成为了众多公司所推崇的规范。
2011年,nvme 1.0版本正式推出,最大带宽为1200mb/s;
2012年,idt发布了第一批商用nvme芯片组;
2013年,三星推出第一款nvme固态硬盘;
2014年,nvme正式注册成立集团,由来自行业中超过65家公司组成,共同维护和促进nvm express规范的推行;
2017年,推出的nvme 1.3在pcie gen3 ssd上得以大量应用;
2019年,nvme1.4推出,成为pcie gen4 ssd的标配;
2021年6月,nvme 2.0推出,到2022年1月,nvme 2.0b推出,进一步完善。重组后的nvme 2.0规范支持更快更简易地开发nvme解决方案,在此前的基础上增加了对机械硬盘的支持,并且新增了可扩展性的命令集,如:分区命名空间(zns)以及键值(kv)等新功能。
经过多次更新后,nvme 2.0规范中的zns现已支持根据数据使用频率进行分区,并将它们按顺序存储在固态硬盘内的独立区域,从而减少对存储数据的重写和重新排列,降低硬盘的写入放大系数(write amplification factor,waf),最终实现整体硬盘的性能和寿命的提高。
zns还能减少固态硬盘对于dram缓存容量的需求。在传统固态硬盘上,需要按照1gb:1mb的比例配置dram缓存,才能保证固态硬盘保持出色的存储速度。而在zns固态硬盘上,每个映射分区的容量从4kb上升到了几十或者几百mb,对于容量更大的企业级硬盘而言则能省下更多dram缓存容量。
预计zns可减少8倍的dram缓存容量需求,并减少约10倍的op预留空间需求。在此基础上,既降低的dram缓存配置成本,同时又提高了用户可使用硬盘容量,不仅是对于消费级固态硬盘,对于更大容量的企业级固态硬盘同样有着不可小觑的吸引力。
kv(key-value)指令集是 nvme 2.0 的另一个重要功能,kv命令集将允许应用程序使用kv对(key-value pairs)与硬盘控制器通信,而不是通过块地址。以免除键和逻辑区块之间不必要的转换表(translation tables),降低cpu计算负荷从而降低整体开销。
endurance group management同样是nvme 2.0规范中的一项重要功能,通过这种全新的存储管理机制,可以灵活并动态地调节ssd配置,以实现动态容量管理和混合式nand操作。以提升ssd的访问力度,并在整体上实现对存储设备更好的控制。
以上功能点的实现,离不开固态硬盘的主控芯片。根据zns分区命名空间,慧荣科技独家的硬件和固件技术,能根据不同应用需求将工作负载分别安排在不同的微处理器上,在nand flash实现zone分割的同时也对主控芯片做隔离化处理,实现更灵活的控制调节和更高效能优化。
在诸多优点和改进下,nvme将会为企业级固态硬盘带来更长使用寿命、更灵活管理机制和更低开销,将会成为企业级固态硬盘下一个重要技术节点趋势。慧荣科技作为全球领先的闪存主控芯片制造商,始终紧跟业界动态,积极应对创新技术和规范,nvme 2.0产品及解决方案即将准备就绪,为大数据时代下的数据中心提供更高性能、更具bom优势的企业级存储解决方案。


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