三星和IBM研究MRAM，欲取代DRAM
三星电子（samsung electronics）与ibm携手研发出11纳米制程的次世代存储器自旋传输（spin transfer torque）磁性存储器（stt-mram）。两家公司也表示，预计在3年内展开mram量产，也引起了业界高度的注目。
韩媒指出， stt-mram是可望取代传统dram、sram的新世代存储器技术。与目前的nand flash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。由于stt-mram只要透过少量电力就可以驱动的非挥发性存储器，不使用时也完全不需要电力。
mram的另外一项特征是寿命时间无限。nand flash反覆读写后，寿命就会大幅缩短。虽然最近靠着技术的发展，已经延长了nand flash的使用寿命，但仍未出现颠覆性的改善技术。
mram自2007年亮相，2011年三星电子买下拥有stt-mram技术的开发公司grandis。而sk海力士（sk hynix）则是与东芝（toshiba）合作，共同研发mram技术。
然而，这样比nand flash读写速度还快，又没有寿命问题的mram却有一个致命的缺点，那就是50纳米以下的微细制程相当困难，费用又极为庞大。过去这段期间，半导体大厂如英特尔（intel）、美光（micron）等虽然积极进行mram的研发，但到目前为止，都未能研发出比nand flash更高整合度、更低生产价格的mram，以致迟迟不能商品化。
在此次三星与ibm共同研发成功研发11纳米mram之后，情况将有望大幅转变。用在物联网（iot）装置感测器、移动装置等领域的机会将会无穷无尽。长期来看，更有望可以取代nand flash市场。
另一方面，三星与ibm除了在次世代存储器事业上有合作以外，也传出正在研拟于人工智能（ai）、半导体事业的合作方案。
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