MOS管栅极驱动电路设计注意事项
mos管开关电路在dc-dc电源、开关控制、电平转换等电路中都有普遍的应用，今天就和大家一起学习一下mos管栅极驱动的设计注意事项。
模电课本上定义mos管为一种压控流型器件，理想状态下，当mos管处于开关状态时，开关波形应该和控制信号电压波形一样标准才对，可实际情况并不总如人意。
如下图所示，输入信号为1mhz，幅度5v的方波信号，通过200ohm电阻r1连接到nmos的栅极。从波形中可以发现，ud电压最小值还在5v左右就又开始上升，即开关并未完全导通。
了解过“密勒平台”的同学应该都知道，mos管gs和gd之间分别有一个等效电容，电容两端电压不能突变，因此当栅极加上一个开关信号时，本质上就是对这些电容进行充放电，来使vgs电压达到导通和关闭的门限。
当栅极串联较大的电阻后，栅极上的充放电电流就比较小，对电容的充电速度较慢，因此就会出现上述mos管还未完全导通，下一个关闭mos管的信号又到达的情况。
这时，我们将串联电阻r1缩小为20ohm，可以看到vd电压信号基本保持方波，且可以完全导通了。但是可以观察到ud关断时，有较长的“爬坡”，这表明，即使栅极驱动电流增大了，但是mos管本身的开关频率也是有上限的。
在上述基础上，我们再将栅极驱动信号的频率降低到100khz，这时我们观察到ud和ugs基本都是一个比较标准的方波信号（通过ugs信号能观察到“密勒平台”），一般我们认为这样的驱动才是合格的。
针对前两种不完全导通和边沿爬坡较缓的现象，会产生哪些问题？
从功耗的计算公式p=u*i来看，当mos管完全导通时，我们可以近似认为mos管的损耗为0，即mos的损耗仅存在于开关过程，即电压、电流都不为0的时候。当mos不完全导通或者边沿较缓时，mos管本身的损耗就会加大，会加重mos管的发热，严重的会导致mos管烧毁。
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这时，我们将串联电阻r1缩小为20ohm，可以看到vd电压信号基本保持方波，且可以完全导通了。但是可以观察到ud关断时，有较长的“爬坡”，这表明，即使栅极驱动电流增大了，但是mos管本身的开关频率也是有上限的。
在上述基础上，我们再将栅极驱动信号的频率降低到100khz，这时我们观察到ud和ugs基本都是一个比较标准的方波信号（通过ugs信号能观察到“密勒平台”），一般我们认为这样的驱动才是合格的。
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