stm32f103系列中等密度高性能系列集成了高性能arm®cortex-m3®32位risc内核,工作频率为72mhz,高速嵌入式存储器(闪存高达128kb,sram高达20kb),以及连接到两个的广泛增强型i/o和外设apb巴士。所有器件均提供2个12位adc、3个通用16位定时器和1个pwm定时器以及标准和高级通信接口:最多两个i2c以及spi、三个usart、一个usb和一个can。
这些器件采用2.0v至3.6v电源供电。它们有–40到+85°c温度范围和–40至+105°c扩展温度范围。一个一整套省电模式允许设计低功耗应用。stm32f103系列中等密度高性能系列包括六种不同的器件封装类型:从36引脚到100引脚。根据所选择的设备,不同的集包括外围设备,下面的描述概述了整个范围该系列中建议的外设。这些特性使stm32f103系列成为中等密度高性能系列微控制器该系列适用于广泛的应用,如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、pc和游戏外围设备、gps 平台、工业应用、plc、变频器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和暖通空调。
特点
♦ arm®32位 cortex®-m3 cpu内核
– 72mhz最大频率,1.25 dmips/兆赫(dhrystone 2.1)0等待状态存储器时的性能访问
– 单周期乘法和硬件划分
♦ 记忆
– 64或128kb闪存
– 20kb的sram
♦ 时钟、复位和电源管理
– 2.0至3.6v应用电源和i/o
– por、pdr和可编程电压探测器(pvd)
– 4至16mhz晶体振荡器
– 内部8mhz工厂调整rc
– 内部40khz rc
– 用于cpu时钟的pll
– 用于rtc的32khz振荡器,带校准
♦ 低功耗
– 睡眠、停止和待机模式
– 用于rtc和备份寄存器的vbat电源
♦ 2个12位、1μs a/d转换器(最多16个频道)
– 转换范围:0至3.6v
– 双采样和保持能力
– 温度传感器
♦ dma
– 7 通道dma控制器
– 支持的外设:定时器、adc、spi、i2c和usart
多达80个快速i/o端口
– 26/37/51/80个i/o,全部可映射在16个外部中断向量和几乎所有5v容限
♦ 调试模式
– 串行线调试(swd)和jtag接口
数据表-生产数据
♦ 整个系列完全兼容
低密度和高密度器件是stm32f103x8/b器件的扩展,它们是分别在stm32f103x4/6和stm32f103xc/d/e数据手册中指定。低密度器件具有较低的闪存和 ram 容量、更少的定时器和外设。高密度设备具有更高的闪存和 ram 容量,并且sdio、fsmc、i2s和dac等其他外设,同时保持与stm32f103xx系列的其他成员。
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