存储芯片厂商 sk 海力士 2 月 1 日宣布,其公司位于韩国首尔南部利川市的 m16 新厂已经竣工,sk 海力士将首次使用极紫外辐射(euv)光刻机在生产存储芯片。
sk 海力士经过两年的时间,花费了 3.5 万亿韩元(约合 31 亿美元)建成了这座芯片工厂,工厂长 336 米,宽 163 米,高 105 米,相当于一座 37 层公寓的高度,是 sk 海力士目前最大的芯片工厂。
sk 集团董事长崔泰源在颁奖典礼上称,建造新工厂的决定在两年前是十分大胆的,因为当时整个半导体存储芯片市场正处于低迷,如今看来这个决定十分明智。
sk 海力士称已在新厂 m16 引进了 euv 光刻机,从而提高芯片电路的精细程度。
目前 sk 海力士计划从今年 6 月开始使用 euv 光刻机量产第四代 10nm(1α)dram 芯片。
据 sk 海力士 ceo 李锡熙介绍,m16 是比较先进的芯片制造工厂,集中了符合 esg(环境、社会和治理)理念的先进设施,例如专门用于 euv 设备的车间和最新的污染减排设施。
他还称,m16 的竣工也代表着其公司于 2015 年宣布的 “未来愿景”的早期实现。当时,sk 海力士宣布将从 2014 年起在 10 年内建造三座新工厂,m14 和 m15 分别于 2015 年和 2018 年竣工,m16 是其 “未来愿景”中最后一间工厂。
结语:sk 海力士正式使用 euv 技术,三大存储厂商只剩美光未使用
本次 sk 海力士的工厂竣工将正好赶上服务器扩充,全球芯片短缺这一节点。该公司预计今年 dram 需求将增长约 17% 至 20%,此外今年服务器产品的需求也可能增长 30% 以上。sk 海力士的工厂竣工赶在了最合适的节点上,这离不开其公司对整体行业的精准判断。
同时在 sk 海力士使用 euv 技术后,三大芯片存储厂商就只剩下美光还未引入 euv 光刻机。短期内美光采用 1α工艺的 dram 成本可能会低于另外两家,但是长期来看可能将缺少三星、sk 海力士大规模采用 euv 技术生产 dram 的经验,这可能会使其在市场竞争中处于下风。
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