关于SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器详细解析
“隔离型反激式转换器电路设计：主要元器件的选型－cin和缓冲”、“隔离型反激式转换器的基础：反激式转换器的工作和缓冲”。
什么是缓冲电路 缓冲电路是抑制浪涌的电路。在本例中是为了抑制输入浪涌而设置在输入端，其实也可用于输出端。由于输入连接于变压器的一次侧，所以受变压器的漏电感影响，当mosfet从on变为off的瞬间，将产生较大的浪涌电压（尖峰噪声）。这种浪涌电压施加在mosfet的漏极－源极之间，因此如果产生的浪涌电压超过mosfet的耐压，可能会造成mosfet损坏。为了防止mosfet损坏，插入由rcd（电阻、电容、二极管）组成的缓冲电路以抑制浪涌电压。由于大多数情况下都会产生这种浪涌，因此建议在设计之初就设置缓冲电路。
缓冲电路：rsnubber1、csnubber1、及d13、d14、d15、d16
在本例中使用的缓冲电路，由电阻rsnubber1、电容csnubber1、以及二极管d13、d14、d15、d16组成，只要去掉d15和d16就是典型的rcd缓冲电路。首先来确定钳位电压和钳位纹波电压，并按r、c、d的顺序确定常数。
1）钳位电压（vclamp）、钳位纹波电压（vripple）
钳位电压需要根据mosfet的耐压考虑到余量来决定。余量取20%。
vclamp＝1700v×0.8＝1360v
钳位纹波电压（vripple）定为50v左右。
2）电阻rsnubber1
rsnubber1的选型需要满足以下条件。
这里设漏电感lleak＝lp×10%＝1750μh×10%＝175μh，利用下列公式计算po=25w、vin(max)＝900v时的ip和fsw。
根据上述计算：
fsw从161khz变为120khz的原因与以前介绍的一样，因为电源ic的最大开关频率为120khz。rsnubber1是比计算结果253kω小的值，因此定为200kω。
rsnubber1的损耗p_rsnubber1可利用以下公式进行计算。
考虑到余量，定为2w以上。最终rsnubber1采用2w、200kω的电阻。
3）csnubbe1
csnubber1的电容量通过下列公式计算。
由于容量要大于1607pf，所以选择2200pf。
施加于csnubber1的电压为从vclamp减去vin(max)后的电压，即1360v－900＝460v，因此考虑到余量，csnubber1的耐压定为600v以上。最终选用2200pf、2kv、10%、x7r、1210封装的陶瓷电容。
4）d13、d14
4个二极管中，d13和d14使用快速恢复二极管。耐压选择mosfet的vds(max)＝1700v以上的电压。此次串联使用2个通用的uf4007（1000v、1a）。
由于浪涌电压不仅受变压器的漏电感影响，还受pcb板薄膜布线的寄生分量影响，因此需要在组装于实际pcb板中的状态下确认vds，并根据实际的电压调整缓冲电路。
5）d15、d16
这些二极管是tvs（瞬态电压抑制）二极管，是浪涌吸收元件。当需要获得更优异的保护性能时，可添加tvs来吸收瞬态尖峰噪声。通过确认mosfet开关时的波形来决定是否使用。施加于这部分的计算值电压与施加于csnubber1的电压相同，均为460v，因此串联使用2个钳位电压274v的1.5ke200a二极管，来吸收超出的瞬态电压。
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在本例中使用的缓冲电路，由电阻rsnubber1、电容csnubber1、以及二极管d13、d14、d15、d16组成，只要去掉d15和d16就是典型的rcd缓冲电路。首先来确定钳位电压和钳位纹波电压，并按r、c、d的顺序确定常数。
1）钳位电压（vclamp）、钳位纹波电压（vripple）
钳位电压需要根据mosfet的耐压考虑到余量来决定。余量取20%。
vclamp＝1700v×0.8＝1360v
钳位纹波电压（vripple）定为50v左右。
2）电阻rsnubber1
rsnubber1的选型需要满足以下条件。
这里设漏电感lleak＝lp×10%＝1750μh×10%＝175μh，利用下列公式计算po=25w、vin(max)＝900v时的ip和fsw。
根据上述计算：
fsw从161khz变为120khz的原因与以前介绍的一样，因为电源ic的最大开关频率为120khz。rsnubber1是比计算结果253kω小的值，因此定为200kω。
rsnubber1的损耗p_rsnubber1可利用以下公式进行计算。
考虑到余量，定为2w以上。最终rsnubber1采用2w、200kω的电阻。
3）csnubbe1
csnubber1的电容量通过下列公式计算。
由于容量要大于1607pf，所以选择2200pf。
施加于csnubber1的电压为从vclamp减去vin(max)后的电压，即1360v－900＝460v，因此考虑到余量，csnubber1的耐压定为600v以上。最终选用2200pf、2kv、10%、x7r、1210封装的陶瓷电容。
4）d13、d14
4个二极管中，d13和d14使用快速恢复二极管。耐压选择mosfet的vds(max)＝1700v以上的电压。此次串联使用2个通用的uf4007（1000v、1a）。
由于浪涌电压不仅受变压器的漏电感影响，还受pcb板薄膜布线的寄生分量影响，因此需要在组装于实际pcb板中的状态下确认vds，并根据实际的电压调整缓冲电路。
5）d15、d16
这些二极管是tvs（瞬态电压抑制）二极管，是浪涌吸收元件。当需要获得更优异的保护性能时，可添加tvs来吸收瞬态尖峰噪声。通过确认mosfet开关时的波形来决定是否使用。施加于这部分的计算值电压与施加于csnubber1的电压相同，均为460v，因此串联使用2个钳位电压274v的1.5ke200a二极管，来吸收超出的瞬态电压。
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