全新30V MOSFET 的N沟道器件OptiMOS-T2
基于英飞凌适用于功率mosfet的功能强大的第二代沟槽技术，optimos-t2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（eps）系统和汽车启停系统的理想解决方案。
出于成本和效率原因，整个行业都开始转向沟槽设计。optimos-t2等功率mosfet沟槽技术相对于以往的技术，在通态电阻和栅电荷方面实现了大幅改进。这使得优值系数（fom=栅电荷x通态电阻）达到业界最低水平。此外，英飞凌创新的大电流“powerbond”技术可解决mosfet键合引线受限问题，降低键合引线通态电阻的降幅，并增强电流功能。通过使键合引线更凉能进一步提高可靠性。最新的powerbond技术可确保一个mosfet具备多达4条500微米键合引线，使标准封装器件具备180a的额定电流。
optimos-t2技术和结实耐用的封装经过精心设计，能够在 msl1 （1级潮湿度）条件下，承受回流焊接过程中的260 °c高温，并且采用无铅电镀，以符合rohs标准。ipb180n03s4l-h0功率mosfet完全符合汽车电子委员会（aec-q101）的规范要求。英飞凌先进的沟槽技术具备低栅电荷、低电容、低开关损耗和出色的优值系数，可使电机效率达到新高，同时最大限度降低emc辐射。此外，优化的栅电荷可确保更小的驱动输出级。
ipb180n03s4l-h0可满足需要许多并联mosfet的大电流应用（超过500a）的要求。由于 ipb180n03s4l-h0具备180a额定电流，因此，可使大电流系统所需的并联mosfet减少一半，从而优化电流共享、热性能和成本。由于汽车电机逐步转向脉宽调制（pwm）控制以提高效率，因此，optimos-t2 30v器件还可提供电池反向连接保护功能。
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