四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析
先进3d nand存储器芯片的深度技术分析和成本对比报告据麦姆斯咨询介绍，不断增长的消费电子和数据中心市场正在加速对更高容量、更可靠的储存器需求。这使得2016至2018年期间，存储器产业的营收从770亿美元增长到1770亿美元。3d nand闪存制造商发现：既要满足上述市场对更高存储容量和可靠性的需求，同时还要降低每比特（bit）成本，是一项不小的挑战。
每家制造商实施不同的技术手段，改变存储类型和存储单元设计，并在每一代产品中堆叠更多层，以增加比特密度，减小芯片尺寸。存储单元架构的技术变化和基本存储器特征的改变，增加了制造工艺的复杂性。然而，这些技术确实降低了每千兆字节的成本。本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3d nand闪存的技术和成本分析。
这些存储器产品来自东芝（toshiba）/闪迪（sandisk）、三星（samsung）、sk海力士（sk hynix）和英特尔（intel）/美光（micron）。我们的分析基于对3d nand闪存拆解与制造工艺分析，揭示了制造商采用的技术。此外，本报告还明确了供应链中的其它参与者。所以，我们根据上述信息可以预估内存晶圆和裸片的成本。
本报告研究的主要厂商及其3d nand存储器产品（样刊模糊化）本报告对最新3d nand裸片进行研究，包括对芯片横截面和制造工艺的深度剖析，详细介绍了物理结构，突出了存储单元设计和存储类型。同时，我们将存储器结构与相关的专利进行匹配。
3d nand存储器芯片逆向分析图示最后，本报告对所研究的3d nand存储器进行了详尽的对比分析，以突出了它们之间相似点、不同点和对成本的影响。
先进3d nand存储器芯片对比分析（样刊模糊化）
先进3d nand存储器物理分析（样刊模糊化）
先进3d nand存储器芯片成本对比分析（样刊模糊化）
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