通过内存中的模拟计算来消除内存瓶颈
（文章来源：东方财富网）
当内存本身可以用来减少计算所需的功耗时，在边缘执行推理操作就变得非常省电。使用内存中的计算方法可以将必须移动的数据量最小化。这反过来又消除了数据传输过程中所浪费的能量。采用超低有功功率耗散、待机状态下几乎无能量耗散的闪速电池，也会进一步降低了系统的能量耗散。
这种方法的一个案例是来自microchip公司的silicon storage technology (sst) ——membrain？技术。基于sst的superflash？内存技术，解决方案包括一个内存计算架构，可以在存储推理模型的权重的地方进行计算。这消除了mac计算中的内存瓶颈，因为权重没有数据移动——只有输入数据需要从输入传感器(如摄像头或麦克风)移动到内存阵列。
这个内存的概念基于两个因素：(a)模拟电流响应从一个晶体管是基于其阈值电压(vt)和输入数据，和(b)基尔霍夫电流定律，即导体网络中在一点相接的电流的代数和为零。
理解基本的非易失性内存(nvm)位元组(bitcell)同等很重要，它被用在这种多层内存架构中。下图是两个esf3(嵌入式superflash第三代)位元的横截面，它们具有共享擦除门(eg)和源线(sl)。每个位元有五个终端：控制门(cg)、工作线(wl)、擦除门(eg)、源线(sl)和位线(bl)。擦除操作是通过在eg上施加高压来完成的。对wl、cg、bl、sl施加高/低电压偏置信号进行编程操作，对wl、cg、bl、sl施加低电压偏置信号进行读操作。
使用这种内存架构，用户可以通过细粒度的编程操作在不同的vt级别上对内存位单元进行编程。该存储技术利用一种智能算法来调整存储单元的浮动门(fg) vt，以实现输入电压的一定电流响应。根据最终应用的需要，我们可以在线性或阈下工作区域对单元进行编程。
上图演示了在内存单元上存储和读取多个级别的功能。假设我们试图在内存单元中存储一个2位整数值。对于这个场景，我们需要用2位整数值(00、01、10、11)的四个可能值中的一个对内存数组中的每个单元进行编程。下面的四条曲线是四种可能状态的iv曲线，电池的电流响应取决于施加在cg上的电压。
智慧警务二维码报警定位系统有什么作用
使用FAN9673 5kW CCM PFC 控制器的3通道交错式CCM PFC设计指南（下篇）
AMD声明自家处理器不受Spoiler新型安全漏洞影响
惠普EliteBook1050G1评测 办公人士的最佳选择它的表现无可挑剔
HTC U11拆解，看看这款被认为HTC在危机中的“逆袭之作”的手机是如何逆袭的
通过内存中的模拟计算来消除内存瓶颈
电抗器的选择应该注意什么
基于插灰帧提高3D图像显示质量的解决方案
Google母公司Alphabet已经将无人驾驶汽车项目从X实验室中拆分出来,100台新车曝光
腾讯云小微以技术驱动行业转型升级
家庭网络的设计和设置
RedmiBook14锐龙版预售开启 双11尝鲜价2999元
LCD与OLED的区别：如何选择？它们的性价比如今谁最高
全新ES8标配安全和辅助驾驶功能 全方位守护驾乘安全
新松联手江都 总投资超过20亿元建造智能制造产业园
PCB高速信号
NVIDIA推出针对笔记本电脑的Optimus技术
图文详解：为什么HTTPS是安全的
基于PN532 NFC近场通讯模块的读卡器
掺铒光纤放大器的原理及其结构
当内存本身可以用来减少计算所需的功耗时，在边缘执行推理操作就变得非常省电。使用内存中的计算方法可以将必须移动的数据量最小化。这反过来又消除了数据传输过程中所浪费的能量。采用超低有功功率耗散、待机状态下几乎无能量耗散的闪速电池，也会进一步降低了系统的能量耗散。
这种方法的一个案例是来自microchip公司的silicon storage technology (sst) ——membrain？技术。基于sst的superflash？内存技术，解决方案包括一个内存计算架构，可以在存储推理模型的权重的地方进行计算。这消除了mac计算中的内存瓶颈，因为权重没有数据移动——只有输入数据需要从输入传感器(如摄像头或麦克风)移动到内存阵列。
这个内存的概念基于两个因素：(a)模拟电流响应从一个晶体管是基于其阈值电压(vt)和输入数据，和(b)基尔霍夫电流定律，即导体网络中在一点相接的电流的代数和为零。
理解基本的非易失性内存(nvm)位元组(bitcell)同等很重要，它被用在这种多层内存架构中。下图是两个esf3(嵌入式superflash第三代)位元的横截面，它们具有共享擦除门(eg)和源线(sl)。每个位元有五个终端：控制门(cg)、工作线(wl)、擦除门(eg)、源线(sl)和位线(bl)。擦除操作是通过在eg上施加高压来完成的。对wl、cg、bl、sl施加高/低电压偏置信号进行编程操作，对wl、cg、bl、sl施加低电压偏置信号进行读操作。
使用这种内存架构，用户可以通过细粒度的编程操作在不同的vt级别上对内存位单元进行编程。该存储技术利用一种智能算法来调整存储单元的浮动门(fg) vt，以实现输入电压的一定电流响应。根据最终应用的需要，我们可以在线性或阈下工作区域对单元进行编程。
上图演示了在内存单元上存储和读取多个级别的功能。假设我们试图在内存单元中存储一个2位整数值。对于这个场景，我们需要用2位整数值(00、01、10、11)的四个可能值中的一个对内存数组中的每个单元进行编程。下面的四条曲线是四种可能状态的iv曲线，电池的电流响应取决于施加在cg上的电压。
智慧警务二维码报警定位系统有什么作用
使用FAN9673 5kW CCM PFC 控制器的3通道交错式CCM PFC设计指南（下篇）
AMD声明自家处理器不受Spoiler新型安全漏洞影响
惠普EliteBook1050G1评测 办公人士的最佳选择它的表现无可挑剔
HTC U11拆解，看看这款被认为HTC在危机中的“逆袭之作”的手机是如何逆袭的
通过内存中的模拟计算来消除内存瓶颈
电抗器的选择应该注意什么
基于插灰帧提高3D图像显示质量的解决方案
Google母公司Alphabet已经将无人驾驶汽车项目从X实验室中拆分出来,100台新车曝光
腾讯云小微以技术驱动行业转型升级
家庭网络的设计和设置
RedmiBook14锐龙版预售开启 双11尝鲜价2999元
LCD与OLED的区别：如何选择？它们的性价比如今谁最高
全新ES8标配安全和辅助驾驶功能 全方位守护驾乘安全
新松联手江都 总投资超过20亿元建造智能制造产业园
PCB高速信号
NVIDIA推出针对笔记本电脑的Optimus技术
图文详解：为什么HTTPS是安全的
基于PN532 NFC近场通讯模块的读卡器
掺铒光纤放大器的原理及其结构