国产芯片真金质！基本半导体挑战极限高温测试“火”力全开
挑战骄阳火焰山，何须芭蕉借又还。
国产芯片真金质，不惧火炼过楼兰。
——郑广州
国创中心副总经理
8月14日，国家新能源汽车技术创新中心（简称“国创中心”）邀请基本半导体等13家国内整车和半导体企业的专家，实地开展“中国车规半导体首批测试验证项目吐鲁番高温试验”活动，并举行了车规半导体测试验证项目高温测试技术研讨会。
自2019年7月底开始，国创中心携搭载了国产自主硅基igbt（绝缘栅双极型晶体管）、碳化硅二极管和碳化硅mosfet（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的4辆试验车，在吐鲁番进行为期一个月的“极限高温”测试项目，这也是国产车规半导体搭载验证的试验项目之一。
单车累计6000公里的高温试验，以验证在高温真实车况下，国产自主车规半导体的性能和可靠性表现。通过反复验证国产车规半导体在各种极端情况下的质量状况和适应能力，并通过对标试验，与国外竞品进行全项目对比分析，发现问题并实施改进措施，为最终助推国产自主车规半导体上车应用达成最高的安全保障。在测试同期举办的研讨会上，与会专家对此次车规半导体测试验证项目给予高度评价，共同探讨半导体行业和汽车行业的产业合作模式。
为了推动我国汽车产业可持续高质量发展，保障我国建设世界汽车强国目标的尽早实现，培育和提升国产自主车规半导体企业的技术研发和质量控制能力，助推国产自主车规半导体上车应用，国创中心秉承国家战略要求，整合行业资源，联合半导体行业的合作伙伴和汽车行业的专家共同开展“国产自主车规半导体测试认证”项目。下一步，国创中心还将开展国产自主车规半导体器件的试验室测试、对标测试及整车搭载的高寒测试。
在此次测试中，试验车搭载了基本半导体自主研发的碳化硅功率器件。基本半导体作为中国第三代半导体行业领军企业、深圳第三代半导体研究院发起单位之一，旗下碳化硅器件产业链覆盖了外延制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等环节。基本半导体先后推出650v/4a～40a、1200v/5a～50a、1700v/5a～20a的全电流电压等级碳化硅二极管，通过工业级可靠性测试的1200v碳化硅mosfet，以及车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能对标国际一流半导体厂商的最新产品。
其中，高性能1200v 碳化硅mosfet采用了平面栅碳化硅工艺，具有短路耐受时间长、雪崩耐量高、反向击穿电压高和导通电阻低等特点，已小批量生产并广泛应用在电机驱动器、开关电源、光伏逆变器和车载充电等领域；用于电动汽车逆变器、对标特斯拉model 3所采用器件的车规级全碳化硅mosfet模块已完成工程样品开发，将联合国内主流车厂开展测试。同时，基本半导体年内还与广州广电计量检测股份有限公司达成战略合作，加快推出首款符合aec-q101检测标准的碳化硅肖特基二极管。
未来，基本半导体将继续打造高质量的国产车规级碳化硅功率器件，积极参与国内车规半导体标准体系和测试认证体系的建设，致力实现车规半导体的自主可控、国产替代。
本文整理自：国家新能源汽车技术创新中心
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自2019年7月底开始，国创中心携搭载了国产自主硅基igbt（绝缘栅双极型晶体管）、碳化硅二极管和碳化硅mosfet（金属-氧化物半导体场效应晶体管）的4辆试验车，在吐鲁番进行为期一个月的“极限高温”测试项目，这也是国产车规半导体搭载验证的试验项目之一。
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在此次测试中，试验车搭载了基本半导体自主研发的碳化硅功率器件。基本半导体作为中国第三代半导体行业领军企业、深圳第三代半导体研究院发起单位之一，旗下碳化硅器件产业链覆盖了外延制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等环节。基本半导体先后推出650v/4a～40a、1200v/5a～50a、1700v/5a～20a的全电流电压等级碳化硅二极管，通过工业级可靠性测试的1200v碳化硅mosfet，以及车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能对标国际一流半导体厂商的最新产品。
其中，高性能1200v 碳化硅mosfet采用了平面栅碳化硅工艺，具有短路耐受时间长、雪崩耐量高、反向击穿电压高和导通电阻低等特点，已小批量生产并广泛应用在电机驱动器、开关电源、光伏逆变器和车载充电等领域；用于电动汽车逆变器、对标特斯拉model 3所采用器件的车规级全碳化硅mosfet模块已完成工程样品开发，将联合国内主流车厂开展测试。同时，基本半导体年内还与广州广电计量检测股份有限公司达成战略合作，加快推出首款符合aec-q101检测标准的碳化硅肖特基二极管。
未来，基本半导体将继续打造高质量的国产车规级碳化硅功率器件，积极参与国内车规半导体标准体系和测试认证体系的建设，致力实现车规半导体的自主可控、国产替代。
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