NRAM商用能席卷根深蒂固的DRAM/NAND Flash吗？
25年来，内存产业一直在等待更好的技术出现。目前市场上的主流存储器是dram和nand flash，有可能席卷目前两种主流存储器的nram近日有了最新消息。有业内专家认为迟到总比缺席好，那么这种技术的发展有何特点？能否挑战目前根深蒂固的存储技术呢？
nram 2018年将商用化 根据bcc research发布的最新研究报告指出，nram在苦熬多年一直无法量产后，终于准备好在2018年商用化了，预计将席卷现有的dram与快闪存储市场。该市调公司并表示，首款利用这种碳纳米管（cnt）技术的非挥发性内存芯片似乎也已经蓄势待发，预计将对计算机内存领域带来不小冲击。
相较于其他的内存技术，nram的发展路径十分独特。即使mram也曾经历很长的时间才实现商用化，但fitzgerald说，「传统的内存技术并没有像nram这样的发展过程。从硅到碳，意味着必须额外负担更多，但目前已有几家公司开始探索cnt内存了，ibm就是其中之一。」
nantero专利的nram以碳纳米管为基础
bcc research共同创办人兼资深编辑chris spivey将nram的研究与发展路径形容为一种典型「以小搏大」（david vs. goliath）的故事。但剧情出现的一点转折是nanero最后（即david）选择与fujitsu （goliath的同辈；意指同业）合作，并为其提供援助。同时，chris spivey表示，尽管现有的内存业者并未对此发表评论，但也不排除未来取得授权。
bcc research预计，全球nram市场将从2018年到2023年实现62.5%的复合年成长率（cagr），其中嵌入式系统市场预计将在2018年达到470万美元，到了2023年将成长至2.176亿美元，cagr高达115.3% 。
针对企业储存、企业服务器与消费电子等领域，nram技术比闪存更具有颠覆性，更有利于在这领域的产品中实现新一波的创新。很快将会受到影响的应用将包括消费性电子领域、行动运算、物联网（iot）、企业储存、国防、航天以及车用电子等领域。
正如bcc research 的研究报告中所指出的，有关nram技术的消息已经好几次登上媒体头条了，尽管毁誉参半，但该报告的作者们预计，这项技术的重大进展将直接挑战目前根深蒂固的计算机内存技术。
已有的dram和快闪存储将被席卷？ 目前，市场上主流的存储技术有dram和nand flash。其中，dram（dynamic random access memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。dram 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，dram使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失（关机就会丢失数据）。 而nand闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4gb的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，nand被证明极具吸引力。nand闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
当然，这两种存储器不仅是目前的市场主流，未来的趋势也看好。在2015、2016连续两年下跌后，dram和nand flash内存平均销售价格（asp）正稳健走扬，研究机构ic insights认为，此将有助推升2017年内存市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高纪录，较2016年成长10%；2020年更可望首度攀至千亿美元大关。
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相较于其他的内存技术，nram的发展路径十分独特。即使mram也曾经历很长的时间才实现商用化，但fitzgerald说，「传统的内存技术并没有像nram这样的发展过程。从硅到碳，意味着必须额外负担更多，但目前已有几家公司开始探索cnt内存了，ibm就是其中之一。」
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bcc research预计，全球nram市场将从2018年到2023年实现62.5%的复合年成长率（cagr），其中嵌入式系统市场预计将在2018年达到470万美元，到了2023年将成长至2.176亿美元，cagr高达115.3% 。
针对企业储存、企业服务器与消费电子等领域，nram技术比闪存更具有颠覆性，更有利于在这领域的产品中实现新一波的创新。很快将会受到影响的应用将包括消费性电子领域、行动运算、物联网（iot）、企业储存、国防、航天以及车用电子等领域。
正如bcc research 的研究报告中所指出的，有关nram技术的消息已经好几次登上媒体头条了，尽管毁誉参半，但该报告的作者们预计，这项技术的重大进展将直接挑战目前根深蒂固的计算机内存技术。
已有的dram和快闪存储将被席卷？ 目前，市场上主流的存储技术有dram和nand flash。其中，dram（dynamic random access memory），即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。dram 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，dram使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失（关机就会丢失数据）。 而nand闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4gb的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，nand被证明极具吸引力。nand闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
当然，这两种存储器不仅是目前的市场主流，未来的趋势也看好。在2015、2016连续两年下跌后，dram和nand flash内存平均销售价格（asp）正稳健走扬，研究机构ic insights认为，此将有助推升2017年内存市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高纪录，较2016年成长10%；2020年更可望首度攀至千亿美元大关。
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