NP2305VR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
np2305vr采用了先进的堑壕技术
提供卓越的rds(on)
v
，低栅极电荷和
工作电压低至1.8v。这
该器件适用于作为负载开关或pwm
应用程序。
一般特征
ds = -20 v, id
r
= -4.2
ds(上)(typ) = 36 mω@vgs = -4.5 v
r ds(上)(typ) = 49米ω@vgs
高功率和电流处理能力
= -2.5 v
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
pwm程序
负荷开关
包
sot-23
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
热特性
注:
a:tc = 25℃。b:表面安装在1“x 1”fr4板上。
c:t = 5 s。d:稳态条件下最大为175°c /w。
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
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包
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热特性
注:
a:tc = 25℃。b:表面安装在1“x 1”fr4板上。
c:t = 5 s。d:稳态条件下最大为175°c /w。
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