关于nor flash烧写失败的原因
本文主要是关于nor flash烧写的相关介绍，并着重对nor flash烧写原理及应用进行了详尽的阐述。
nor flash nor flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。intel于1988年首先开发出nor flash 技术，彻底改变了原先由eprom（erasable programmable read-only-memory电可编程序只读存储器）和eeprom（电可擦只读存储器electrically erasable programmable read - only memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。nor flash 的特点是芯片内执行（xip ，execute in place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor 的传输效率很高，在1~4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。nand的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取nor的速度比nand稍快一些，而nand的写入速度比nor快很多，在设计中应该考虑这些情况。——《arm嵌入式linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 p52 注释 api key
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nand之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
l 、nor的读速度比nand稍快一些。
2、 nand的写入速度比nor快很多。
3 、nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5 、nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
此外，nand的实际应用方式要比nor复杂的多。nor可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而nand需要i/o接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对nand结构的flash都有支持。此外，linux内核也提供了对nand结构的flash的支持。
详解
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
像“flash存储器”经常可以与相“nor存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
nor的特点是芯片内执行（xip， execute in place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
nand结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用nand的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
接口差别
nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
nand读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于nand的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
容量成本
nand flash的单元尺寸几乎是nor器件的一半，由于生产过程更为简单，nand结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
nor flash占据了容量为1～16mb闪存市场的大部分，而nand flash只是用在8～128mb的产品当中，这也说明nor主要应用在代码存储介质中，nand适合于数据存储，nand在compactflash、secure digital、pc cards和mmc（多媒体存储卡multi media card）存储卡市场上所占份额最大。
可靠耐用
采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展mtbf（平均故障间隔时间mean time between failures）的系统来说，flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较nor和nand的可靠性。
寿命（耐用性）
在nand闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而nor的擦写次数是十万次。nand存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的nand块尺寸为nor器件的八分之一，每个nand存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见，nand发生的次数要比nor多），一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。
当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正（edc/ecc）算法。位反转的问题更多见于nand闪存，nand的供应商建议使用nand闪存的时候，同时使用edc/ecc算法。
这个问题对于用nand存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用edc/ecc系统以确保可靠性。
关于nor flash烧写失败的原因 最近在看国嵌的教学视频，在国嵌体验入门班-2-1（开发板系统安装-jlink方式）一集中，直接烧写nor flash，不进行任何配置的方法，能够成功纯属偶然！在视频中烧写时也出现了两次错误。
我的开发板是mini2440，如果是其它类型，也可以根据具体情况参考。
一、解决方案一
1、在网上搜索s3c2440 jlink配置文件下载。
2、点击file -》 open project，选中下载好的初始化工程文件。
3、点击option -》 project settings选择flash，点击select flash device。选中开发板对应的nor flash芯片型号，我的板子采用得是sst39vf1601 ，这里我选择sst39vf1601。具体情况参考用户手册可以查找到nor flash芯片型号。
设置好前面这些之后，就可以进行下面的烧写工作了，通过这种方式一次烧写成功。
二、解决方案二
1、选择options -》 project settings -》 cpu -》 ‘use following init sequence：’中，默认只有一行：
0 reset 0 0ms reset and halt target
然后选中该行，点击edit，修改delay为2ms，确定即可。
三、解决方案三
1、点击options--》project settings--》cpu，选择use following init sequence 中的action，把 reset 改成 halt 也可以。
但是建议大家最好使用第一种方案。
nor flash 烧写原理 在对flash进行写操作的时候，每个bit可以通过编程由1变为0，但不可以有0修改为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把flash的一个sector，一个bank或是整片flash 的值全修改为0xff。在写的时候要注意每个页、扇区、块的边界问题。
对flash读写操作流程（w25q64为例）;
1：定义以一个数组（全局变量），大小为最小擦除缓存，用来对将要擦除区域数据的备份：；
u8 spi_flash_buf［4096］。
2：定义3个变量用来保存扇区编号、扇区偏移地址、扇区剩余地址；
secpos=writeaddr/4096;
secoff=writeaddr%4096;
secremain=4096-secoff;//剩余地址
3：判断将要写入flash的数据容量大小，数据容量小于剩余地址数，表示可以将所有数据写入flash，而没有扇区边界问题；如果超过地址数则要在数据容量的边界位置做个记号。
if（numbytetowrite《=secremain）secremain=numbytetowrite;//判断
4：将数据要写入那个扇区的所有数据读出，放到缓存中。
5：从扇区偏移地址起，检验即将要写入的扇区，存储的旧数据是否都为1，否就将整个扇区擦除，使之全变成1.
6：以扇区边界为限，将要写入的数据从扇区偏移地址起存到缓存区。
7：将缓存区的数据全部写入扇区（写的时候还要判断页边界的问题，思路和写扇区差不多）。
8：判断数据是否全部写入，（如果要写入的数据容量超过剩余地址，则扇区编号加1；偏移地址清零；数据容量减去之前剩余地址数；修改数据容量的地址，把已经写入的数据过滤掉；修改即将要写入存储单元的地址）
9：返回第4步。
结语 关于nor flash烧写的相关介绍就到这了，如有不足之处欢迎指正。
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性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。nand器件执行擦除操作是十分简单的，而nor则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除nor器件时是以64～128kb的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除nand器件是以8～32kb的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了nor和nand之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于nor的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
l 、nor的读速度比nand稍快一些。
2、 nand的写入速度比nor快很多。
3 、nand的4ms擦除速度远比nor的5s快。
4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5 、nand的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
此外，nand的实际应用方式要比nor复杂的多。nor可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而nand需要i/o接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对nand结构的flash都有支持。此外，linux内核也提供了对nand结构的flash的支持。
详解
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术，彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了nand flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
像“flash存储器”经常可以与相“nor存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
nor的特点是芯片内执行（xip， execute in place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor的传输效率很高，在1～4mb的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
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nor flash带有sram接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
nand器件使用复杂的i/o口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
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3、点击option -》 project settings选择flash，点击select flash device。选中开发板对应的nor flash芯片型号，我的板子采用得是sst39vf1601 ，这里我选择sst39vf1601。具体情况参考用户手册可以查找到nor flash芯片型号。
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1：定义以一个数组（全局变量），大小为最小擦除缓存，用来对将要擦除区域数据的备份：；
u8 spi_flash_buf［4096］。
2：定义3个变量用来保存扇区编号、扇区偏移地址、扇区剩余地址；
secpos=writeaddr/4096;
secoff=writeaddr%4096;
secremain=4096-secoff;//剩余地址
3：判断将要写入flash的数据容量大小，数据容量小于剩余地址数，表示可以将所有数据写入flash，而没有扇区边界问题；如果超过地址数则要在数据容量的边界位置做个记号。
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4：将数据要写入那个扇区的所有数据读出，放到缓存中。
5：从扇区偏移地址起，检验即将要写入的扇区，存储的旧数据是否都为1，否就将整个扇区擦除，使之全变成1.
6：以扇区边界为限，将要写入的数据从扇区偏移地址起存到缓存区。
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