MOSFET和IGBT内部结构与应用
mosfet和igbt内部结构不同，决定了其应用领域的不同。
1、由于mosfet的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上ka,但是前提耐压能力没有igbt强，ixys有一款mosfet,vmm1500-0075p(75v,1500a,0.55毫欧),这是电流最大的一款；电压高的一款ixfn38n100q2(1000v,38a)这个是目前推广最多的产品,用于高频感应加热。
2、igbt可以做很大功率，电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代igbt硬开关速度可以到100khz,那已经是不错了。不过相对于mosfet的工作频率还是九牛一毛，mosfet可以工作到几百khz,上mhz,以至几十mhz,射频领域的产品。
3、就其应用，根据其特点：mosfet应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域；igbt集中应用于焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域 。
开关电源 (switch mode power supply；smps) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。
虽然没有万全的方案来解决选择igbt还是mosfet的问题，但针对特定smps应用中的igbt 和 mosfet进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。
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3、就其应用，根据其特点：mosfet应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域；igbt集中应用于焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域 。
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