东芝推出具有低导通电阻的新款功率器件
-该系列产品包含1200v和650v两种规格-
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(sic)mosfet[1][2]“twxxnxxxc系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200v产品和5款650v产品，现已开始出货。
新产品的单位面积导通电阻(rds(on)a)下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(rds(on)×qgd)”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。
应用
开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)
电动汽车充电站
光伏变频器
不间断电源(ups)
特性
单位面积导通电阻低(rds(on)a)
低漏源导通电阻×栅漏电荷(rds(on)×qgd)
低二极管正向电压：vdsf=-1.35v(典型值)@vgs=-5v
规格
(除非另有说明，ta=25℃)
注：
[1] 通过采用为第二代sic mosfet开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻(rds(on)a)，同时降低jfet区域反馈电容的器件架构。
[2] mosfet：金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3] 当第二代sic mosfet的rds(on)a被设为1时，与新款1200v sic mosfet比较。东芝调研。
[4] 当第二代sic mosfet的rds(on)*qgd被设为1时，与新款1200v sic mosfet比较。东芝调研。
[5] 新款1200v sic mosfet和第二代sic mosfet比较。东芝调研。
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新产品的单位面积导通电阻(rds(on)a)下降了大约43%[3]，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(rds(on)×qgd)”降低了大约80%[4]，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%[5]，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
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低漏源导通电阻×栅漏电荷(rds(on)×qgd)
低二极管正向电压：vdsf=-1.35v(典型值)@vgs=-5v
规格
(除非另有说明，ta=25℃)
注：
[1] 通过采用为第二代sic mosfet开发的内置肖特基势垒二极管的架构，东芝开发出一种可降低单位面积导通电阻(rds(on)a)，同时降低jfet区域反馈电容的器件架构。
[2] mosfet：金属氧化物半导体场效应晶体管。
[3] 当第二代sic mosfet的rds(on)a被设为1时，与新款1200v sic mosfet比较。东芝调研。
[4] 当第二代sic mosfet的rds(on)*qgd被设为1时，与新款1200v sic mosfet比较。东芝调研。
[5] 新款1200v sic mosfet和第二代sic mosfet比较。东芝调研。
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