本文将摘录并使用所要介绍的部件的外围电路。
主要部件的选型:mosfet q1
mosfet q1是用来驱动变压器一次侧的晶体管,是本设计主题之一的“sic-mosfet”。
mosfet的选型需要考虑最大漏极-源极间电压、峰值电流、导通电阻ron的损耗、封装的最大容许损耗等。
低输入电压时,mosfet的导通时间变长,ron损耗带来的发热量增加。sic-mosfet的特点是ron低,其传导损耗也小,但请务必在组装在实际pcb板和产品中的状态下进行确认,并在必要时利用散热器等来解决散热问题。
id的额定值以ippk×2左右作为大致的选择标准。ippk在变压器设计的②中已经求出为0.66a。
vds通过下列公式计算。
vspike则很难通过计算算出来。所以,根据经验,在添加缓冲电路的前提下,选择vds为1700v的mosfet。在这个设计案例中,选择rohm生产的sic-mosfet “sct2h12ny(1700v、1.15ω、4a、44w)”或“sct2h12nz(1700v、1.15ω、3.7a、35w)”。
下面以sct2h12ny为例列出其最大额定值。关于其他参数和其他详细信息,请参考相应的技术规格书。
关键要点:
・mosfet q1使用本设计主题之一的“sic-mosfet”。
・mosfet的选型需要考虑最大vds、峰值电流、导通电阻的损耗、封装的最大容许损耗等。
・以ippk×2左右作为id额定值的大致选择标准。
・vds通过公式来计算。
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