NMOS场效应管/PMOS场效应管防反保护解析
nmos场效应管通过d管脚和s管脚串接于电源和负载之间，电阻r1、r2为mos管提供电压偏置，vr1用于限制vgs间电压，防止被击穿。正接时候，r1、r2提供vgs电压，mos饱和导通。反接的时候mos不能导通，所以起到防反接作用，利用mos管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。
pmos场效应管防反保护如下图所示：
pmos场效应管通过d管脚和s管脚串接于电源和负载之间，电阻r1、r2为mos管提供电压偏置，vr1用于限制vsg间电压，防止被击穿。正接时候，r1、r2提供vsg电压，mos饱和导通。反接的时候mos不能导通，所以起到防反接作用，利用mos管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。
由于场效应管的加工工艺导致nmos管的导通电阻比pmos的小，所以最好选用nmos。
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pmos场效应管防反保护如下图所示：
pmos场效应管通过d管脚和s管脚串接于电源和负载之间，电阻r1、r2为mos管提供电压偏置，vr1用于限制vsg间电压，防止被击穿。正接时候，r1、r2提供vsg电压，mos饱和导通。反接的时候mos不能导通，所以起到防反接作用，利用mos管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源反接给负载带来损坏。
由于场效应管的加工工艺导致nmos管的导通电阻比pmos的小，所以最好选用nmos。
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