谈晶体三极管集电极和发射极互换的结果
现代集成电路中，晶体管的主要两种就是mosfet和bjt。在1970年代之前，不论是模拟还是数字集成电路，采用的多是bjt型的晶体管，理由是就当时的技术而言，mosfet的量产的良率不够稳定。后来随着技术的进一步发展，mosfet由于其各种优势（特别值得一提的就是cmos架构的静态功耗的理论值为0），在数字集成电路中完全占据了主导地位，而如今bjt只在模拟集成电路领域还在广泛的使用。
既然说到模拟集成电路，那么bjt的一个基本的作用就是利用其作为放大器。
如上图所示为一个pnp晶体管的在正向偏置情况下的示意图。这个时候它的发射极为正偏pn junction，集电极为反偏的pn junction，能起到放大电流的作用。我们再进一步分析bjt起到放大的作用的一些物理，这样对题主的疑问就能有一个较为清晰的解答。
上图总共显示了1，2，3，4，，5总共五种的存在于正偏架构的bjt的电流分量。
上图可以明显看出，从发射极注入的hole电流，将分成1和2两个部分。由于base为n掺杂，所以当hole电流流经base的时候，将会有电子空穴对的复合产生，消耗空穴电流，这就是1电流表示的意思（电流4是为了维持稳态而从base流入的电子电流，目的是同1电流复合）。2电流是最终从发射极注入到集电极的空穴电流，这就是最终我们所需要的电流。同时我们可以看到电流5，是从base流向发射极的电子电流，这也是发射极电流的一个来源（所以总的发射极电流ie = 1+2+5）。
上图的3电流是集电极和base之间的pn junction的反偏漏电流，如果制程正常的话数值将不会很大。
现在考虑发射极的情况。发射极电流的组成有两种，包括发射极空穴电流1+2以及发射极电子电流5。我们可以利用突变pn junction假设和junction law，得到以下的近似：
iep = 1+2 ∝
ien = 5 ∝
很显然，为了让“有用”的电流尽量大，也就是让 iep》》ien，一个通常的做法就是是的nd《《na，也就是说，发射极的掺杂浓度要远高于base才可以实现较高的放大系数。
实际上的bjt的掺杂如下所示（此处示意图用npn）
可以看到在emitter-base的pn结确实是发射极的掺杂浓度将高于base。同时我们注意到，出于设计上的考量，量产化的bjt的集电极的掺杂浓度一般是比较低的。甚至将低过base。
如果如题主所述，将e和c调换使用，其造成的结果就是最终可以利用到的电流量将会大大减少，甚至会使得整个管子失去了放大的特性。
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