部分dram供应商很可能提出让客户提前拉货,将2024年q1需求拉到今年第四季度。ddr5的市况扭转要来得更早一些,而nand价格可能要更晚触底。下一个存储市场反弹的催化剂,可能是服务器市场的需求,2024年可能全面复苏。
据台湾经济日报、科技新报援引美国市场调查机构发布的最新报告称,美光、西部数据等存储芯片供货商认为产品价格已跌到底,开始取消以折扣价提前进行批量交易的模式,甚至开始抬高价格。 该调查机构预计,q3起,存储芯片价格下跌幅度将会收窄,部分产品合约价格很可能从q4起出现上升拐点,不同产品线情况有别,明年有望全面复苏,具体来看:
在供应减少的推动下,dram价格将在未来2-3个月内将触底,部分dram供应商很可能提出让客户提前拉货,将2024年q1需求拉到今年第四季度,推动q4产品价格上涨; ddr5的市况扭转要来得更早一些,今年下半年面向pc的ddr5内存价格将上调2-5%、面向服务器的ddr5内存价格将上调5-10%,目前一些供应商从7月开始推动q3 ddr5价格上调; 至于nand价格,该机构预计将会在明年上半年触底,供应商试图减缓价格下降,但数据中心等领域的nand需求疲软和高库存仍是阻力,目前预测ssd价格三季度会环比下滑1-3%。
展望后市,该机构称,下一个存储市场反弹的催化剂,可能是服务器市场的需求,这部分市场有望于2024年出现反弹,推动产品量价齐升,到那时才可能全面复苏。 2022年下半年至今,存储芯片行业陷入供过于求的困境,产品价格“跌跌不休”,具有代表性的存储芯片dram的价格截至4月连续12个月下滑。作为价格指标的“ddr4 8gb”产品的6月的大宗交易价格比1年前下跌45%。 头部存储大厂如美光、三星电子、sk海力士等,都交出了黯淡的成绩单,仅看2023年q1营收,原排第一名的三星被英特尔挤到第二名,sk海力士一举掉出前十名,直接导致全球半导体公司市值重新洗牌,三星电子被美国芯片设计公司博通超车,排名下滑至第四。
今年q2起,多家供应商发出触底信号。 先是三星和美光向经销商发出通知,不再低价接单dram及nandflash,拒绝接受低于4月的报价。 5月份,有消息称长江存储原厂闪存正式开始涨价3-5%幅度后,三星电子、sk海力士等正在考虑提高报价。 6月下旬,供货商中仅三星愿意进行cssd(消费级固态硬盘)提前交易,经销商希望供货商让步但都遭拒绝。
机构给出乐观数据及预期的同时,多家存储芯片厂商也从多角度证实行业触底。 三星、sk海力士q2的dram出货量都优于预期,据称sk海力士的部分客户库存补货订单已开始兑现。 南亚科在最新一期法说会上称,尽管q2整体平均价格(asp)依旧微幅下跌,但已看到部分产品报价呈现平稳或小幅增长,高阶ai存储芯片及部分消费性存储芯片都开始涨价。
韩国券商6月份表示,从新产品来看,由于ai发展,ddr5和hbm需求迅速增加,预计将抵消ddr4的价格下降。美系外资也预估,ai相关的存储芯片业务今年有望成长三倍,主要由用于gpu的hbm以及用于ai服务器系统的128gb ddr5模块驱动。 不过,尽管目前多数贸易商认为存储芯片的现货价格已接近底部,但由于需求前景不乐观,预计消除过剩库存还需一段时间。 集邦咨询等机构便提醒,目前供应商全年库存应仍处高水位,今年dram均价欲落底翻扬的压力仍大,尽管供给端的减产有助季跌幅的收敛,然实际止跌反弹的时间恐需等到2024年。
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