如何区分各种存储器（ROM、RAM、FLASH）
相信有很多人都对计算机里的各种存储器（rom、ram、flash 等等）傻傻分不清，就会存在，内存条是 dram 还是 nand？nand flash 和 nor flash 的区别又是什么？程序运行是在dram还是 nor flash？ram 和 rom 的区别？等等的疑问。
从 it 小白到资深工程师都会存在这种现象。本文将根据个人理解，从存储器与 cpu 的接口、程序运行的角度，系统而详细介绍各种存储器的分类与用途，从而让读者深刻的认识并区分各种存储器。
rom
rom 是只读存储器（read-only memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器，部分拥有 cpu 的总线接口，可以执行代码（需要配合ram，因为程序的执行过程肯定有写操作的）。这是很早期的定义了，现今 rom 的概念已经非常广了，通常掉电后数据不会消失的半导体存储器都泛称为 rom 了。比如手机参数里所说的 rom 通常就是指 nand flash 类存储器。但这些 rom 基本上都是不支持执行代码的。
nand flash
nand flash 是目前市面上的两种主流的非易失性闪存技术之一，支持掉电保存数据，具有容量较大，改写速度快的优点。但不能通过 cpu 总线随机访问，依赖 nand flash 控制器访问，所以不能直接执行程序。通常作为广义上的 rom 来使用。
nor flash
nor flash 和 nand flash 一样，是两种主流的非易失性闪存技术之一，同样支持掉电保存数据。相对于 nand flash，nor flash 有类似于ram的接口，可以通过 cpu 总线随机访问，所以可以作为传统的 rom 直接执行程序，不过也是需要与ram配合，因为 nor flash 不支持随机写操作。nor flash 的成本较高，在容量小的时候收益才较大。
sram
静态随机存取存储器（static random-access memory，sram）是随机存取存储器中的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，掉电还是会消失的。这是性能十分优秀的ram，但价格较高，一般用在 cpu 内部做高速缓存（cache），或是起步石。如三星的 s3c2440 内部就有 16kb 的指令缓存、16kb 的数据缓存和 4kb 的内部ram（起步石）。
dram
动态随机存取存储器(dynamic random access memory)，是如今最为常见的系统内存 ram(无论是个人电脑还是智能手机)。它相对于sram，在通电的情况下，也只能将数据保持很短的时间，为了保持数据稳定，所以必须隔一段时间就要对存储单元刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，那么存储的数据就会丢失。
sdram
同步动态随机存储器（synchronous dynamic random access memory），它与dram类似，只是多了一个同步（synchronous）。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
程序的执行与存储器的关系
最后再从程序执行的角度来区分以上各种存储器。首先，程序的执行有取指令、分析指令和执行指令这三个过程。取指令的过程必然有按顺序取指令和跳跃取指令这两种方式的，那么在程序执行过程中，指令的存储器就必须是支持随机读取的。而执行指令这个过程则必然会有随机写这一需求的。
那么，以上各种存储器的差别就很明显了。
1、在程序没有被执行的时候，程序可以存在所有支持掉电保存数据的存储器（rom、nand flash、nor flash）。当程序需要被执行的时候再将其加载到可以执行程序的存储器中。
2、当程序执行时，
（1）很明显各种 ram（sram、dram、sdram）都是可以完全的支持程序执行的，因为它们都是支持随机读/写的。
（2）而对于拥有总线接口的 rom 和 nor flash 来说则不能完全支持程序的执行了，因为它们只支持随机读，而不支持随机写。所以，要想在程序执行时将代码存在 rom 或者 nor flash，则需要 ram 的配合。代码指令存在 rom 或 nor flash 上执行，而需要写的存储空间则安排在 ram，如此，也就可以在 rom 和 nor flash 上执行程序了。
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rom
rom 是只读存储器（read-only memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器，部分拥有 cpu 的总线接口，可以执行代码（需要配合ram，因为程序的执行过程肯定有写操作的）。这是很早期的定义了，现今 rom 的概念已经非常广了，通常掉电后数据不会消失的半导体存储器都泛称为 rom 了。比如手机参数里所说的 rom 通常就是指 nand flash 类存储器。但这些 rom 基本上都是不支持执行代码的。
nand flash
nand flash 是目前市面上的两种主流的非易失性闪存技术之一，支持掉电保存数据，具有容量较大，改写速度快的优点。但不能通过 cpu 总线随机访问，依赖 nand flash 控制器访问，所以不能直接执行程序。通常作为广义上的 rom 来使用。
nor flash
nor flash 和 nand flash 一样，是两种主流的非易失性闪存技术之一，同样支持掉电保存数据。相对于 nand flash，nor flash 有类似于ram的接口，可以通过 cpu 总线随机访问，所以可以作为传统的 rom 直接执行程序，不过也是需要与ram配合，因为 nor flash 不支持随机写操作。nor flash 的成本较高，在容量小的时候收益才较大。
sram
静态随机存取存储器（static random-access memory，sram）是随机存取存储器中的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，掉电还是会消失的。这是性能十分优秀的ram，但价格较高，一般用在 cpu 内部做高速缓存（cache），或是起步石。如三星的 s3c2440 内部就有 16kb 的指令缓存、16kb 的数据缓存和 4kb 的内部ram（起步石）。
dram
动态随机存取存储器(dynamic random access memory)，是如今最为常见的系统内存 ram(无论是个人电脑还是智能手机)。它相对于sram，在通电的情况下，也只能将数据保持很短的时间，为了保持数据稳定，所以必须隔一段时间就要对存储单元刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，那么存储的数据就会丢失。
sdram
同步动态随机存储器（synchronous dynamic random access memory），它与dram类似，只是多了一个同步（synchronous）。同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。
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那么，以上各种存储器的差别就很明显了。
1、在程序没有被执行的时候，程序可以存在所有支持掉电保存数据的存储器（rom、nand flash、nor flash）。当程序需要被执行的时候再将其加载到可以执行程序的存储器中。
2、当程序执行时，
（1）很明显各种 ram（sram、dram、sdram）都是可以完全的支持程序执行的，因为它们都是支持随机读/写的。
（2）而对于拥有总线接口的 rom 和 nor flash 来说则不能完全支持程序的执行了，因为它们只支持随机读，而不支持随机写。所以，要想在程序执行时将代码存在 rom 或者 nor flash，则需要 ram 的配合。代码指令存在 rom 或 nor flash 上执行，而需要写的存储空间则安排在 ram，如此，也就可以在 rom 和 nor flash 上执行程序了。
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