国产串行SRAM存储芯片EMI7008LSMI的介绍
emi7008lsmi该器件是8mb串行访问的sram存储芯片，内部组织为1024k字，每个8位。该器件采用先进的cmos技术进行设计和制造，以提供高速性能和低功耗。该器件使用单芯片选择（/cs）输入进行操作，并通过与spi兼容的简单串行接口进行访问。单个数据输入和数据输出线与时钟一起使用以访问该设备内的数据。该设备包括一个/hold引脚，该引脚允许在不取消选择该设备的情况下暂停与该设备的通信。暂停时，除/cs引脚外的输入跳变将被忽略。该器件可在-40°c至+85°c（工业级）的温度范围内工作。
sdi模式和sqi模式操作
与兼容的主设备一起使用时，该设备还支持sdi（串行双接口）和sqi（串行四接口）操作模式。要进入sdi模式，必须输入esdi命令（3bh）。按照sdi操作模式的惯例，每个时钟使用sio0和sio1引脚输入两位。位首先以msb时钟输入。要进入sqi模式，必须输入esqi命令（38h）。对于sqi操作模式，每个时钟输入4位数据，或者每个时钟输入1个半字节。半字节首先由msb提供时钟。
要退出sdi模式，必须发出rstdqi命令（ffh）。必须在当前设备配置（sdi模式或sqi模式）中输入命令。
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