flash存储器的类型

flash存储器(也就是闪存)就是非易失随机访问存储器(nvram),特点是断电后数据不消失,因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器,分为dram和sram两大类,其中常说的内存主要指dram,也就是我们熟悉的ddr、ddr2、sdr、edo等等。闪存也有不同类型,其中主要分为nor型和nand型两大类。
nor和nand是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。intel于1988年首先开发出nor flash技术,彻底改变了原先由eprom和eeprom一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了nand flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清nor和nand闪存。
“flash存储器”经常可以与相“nor存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚nand闪存技术相对于nor技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时nor闪存更适合一些。而nand则是高数据存储密度的理想解决方案。
关于nor
nor是现在市场上主要的非易失闪存技术。nor一般只用来存储少量的代码;nor主要应用在代码存储介质中。nor的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高,它是属于芯片内执行(xip, execute in place),这样应用程序可以直接在(nor型)flash闪存内运行,不必再把代码读到系统ram中,缺点是受到读写和擦除速度慢的性能制约。在1~4mb的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。nor flash带有sram接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。nor flash占据了容量为1~16mb闪存市场的大部分。
关于nand
nand结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快,但随机存取的速率慢。应用nand的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
两者区别
nor型与nand型闪存的区别很大,打个比方说,nor型闪存更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而nand型更像硬盘,地址线和数据线是共用的i/o线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而且nand型与nor型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,nor型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,手机就是使用nor型闪存的大户,所以手机的“内存”容量通常不大;nand型闪存主要用来存储资料,我们常用的闪存产品,如闪存盘、数码存储卡都是用nand型闪存。这里我们还需要端正一个概念,那就是闪存的速度其实很有限,它本身操作速度、频率就比内存低得多,而且nand型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此,不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口,甚至想当然地认为闪存盘采用usb2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到nand型闪存的操作方式效率低,这和它的架构设计和接口设计有关,它操作起来确实挺像硬盘(其实nand型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性),它的性能特点也很像硬盘:小数据块操作速度很慢,而大数据块速度就很快,这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速,无噪音,散热小。用户空间容量需求量小的,打算购置的话可以不考虑太多,同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的(如500g),就买硬盘,较为便宜,也可以满足用户应用的需求。

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