DC/DC评估篇损耗探讨-同步整流降压转换器的栅极电荷损耗
本文将探讨功率开关mosfet的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“pgate”所示部分。
栅极电荷损耗
栅极电荷损耗是由该例中外置mosfet的qg（栅极电荷总量）引起的损耗。当mosfet开关时，电源ic的栅极驱动器向mosfet的寄生电容充电（向栅极注入电荷）而产生这种损耗（参见下图）。这不仅是开关电源，也是将mosfet用作功率开关的应用中共同面临的探讨事项。
损耗是mosfet的qg乘以驱动器电压和开关频率的值。qg请参考所使用的mosfet的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考ic的技术规格书。
从该公式可以看出，只要qg相同，则开关频率越高损耗越大。从提供mosfet所需的vgs的角度看，驱动器电压不会因电路或ic而有太大差异。mosfet的选型和开关频率因电路设计而异，因此，是非常重要的探讨事项。
为了确保与其他部分之间的一致性，这里给出了开关的波形，但没有表示栅极电荷损耗之处。
下一篇文章计划介绍电感的dcr带来的损耗。
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栅极电荷损耗
栅极电荷损耗是由该例中外置mosfet的qg（栅极电荷总量）引起的损耗。当mosfet开关时，电源ic的栅极驱动器向mosfet的寄生电容充电（向栅极注入电荷）而产生这种损耗（参见下图）。这不仅是开关电源，也是将mosfet用作功率开关的应用中共同面临的探讨事项。
损耗是mosfet的qg乘以驱动器电压和开关频率的值。qg请参考所使用的mosfet的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考ic的技术规格书。
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