为什么有些电路中使用MOS管？而有些电路用IGBT管？
在电子电路中，mos管和igbt管会经常使用，它们都可以作为开关元件来使用，mos管和igbt管在外形及特性参数也比较相似，为什么有些电路中使用mos管？而有些电路用igbt管？
现在来讲解一下，mos管和igbt管到底有什么区别！
场效应管主要分两种类型，分别是结型场效应管（jfet）和绝缘栅场效应管（mos管）
mos管即mosfet，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管，mosfet又可分为n沟耗尽型和增强型；p沟耗尽型和增强型四大类。
有的mosfet内部有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
寄生二极管的作用，两种解释：
1、mosfet的寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。
2、防止mos管的源极和漏极反接时烧坏mos管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿mos管。
igbt (insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和mos管组成的复合型半导体器件，igbt作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中广泛应用。
igbt的电路符号没有统一，画原理图时一般是借用三极管、mos管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是igbt还是mos管。
同时还要注意igbt有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管是存在。
igbt内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护igbt脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为fwd（续流二极管），判断igbt内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量igbt的c极和e极，如果igbt是好的，c、e两极测得电阻值无穷大，则说明igbt没有体二极管。
mos管和igbt管的内部结构如下图
igbt是通过在mosfet的漏极上追加层而构成的。
igbt的理想等效电路如下图，igbt实际就是mosfet和晶体管三极管的组合，mosfet存在导通电阻高的缺点，但igbt克服了这一缺点，在高压时igbt仍具有较低的导通电阻。
另外，相似功率容量的igbt和mosfet，igbt的速度可能会慢于mosfet，因为igbt存在关断拖尾时间，由于igbt关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
在电路中，选用mos管作为功率开关管还是选择igbt管，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：
总的来说，mosfet优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百khz、上mhz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而igbt在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
5G 时代来临,从手机到汽车,比亚迪电子的未来同样充满想象
智能家居系列报道(一)：苹果谷歌抢滩 国内厂商压力大
FPGA跨时钟域处理的注意事项
重新发现采用SIC FET的完美开关
嵌入式操作系统任务切换方法对比分析
为什么有些电路中使用MOS管？而有些电路用IGBT管？
新能源电瓶修复之电池快充慢充的知识介绍
亚马逊首次失去智能音箱市场的头把交椅 Google Home紧追猛赶
商汤绝影为乘员打造全新车载健康体验
智慧城市受欢迎的理由是什么
红外感应延时开关原理分析 浅谈红外感应延时开关功能特性
兆易创新携三大产品线隆重亮相2020慕尼黑上海电子展
安徽富信——致力于成为世界一流的电子元器件整合配套制造商
小米新系统本月将与小米6一起发布 MIUI 9新界面抢先看
Li-FiLED照明面板问世_酷派起诉小米专利侵权获受理
性价比比较高的蓝牙耳机有哪几款？性价比高的蓝牙耳机推荐
机器视觉在智能制造中处于怎样的位置
起亚K2怎么样？起亚k2裸车仅6.2万,上路能装15万逼格,油耗仅5.4L,非常符合一辆家用代步小车
干簧继电器的结构与特点
时序逻辑电路
现在来讲解一下，mos管和igbt管到底有什么区别！
场效应管主要分两种类型，分别是结型场效应管（jfet）和绝缘栅场效应管（mos管）
mos管即mosfet，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管，mosfet又可分为n沟耗尽型和增强型；p沟耗尽型和增强型四大类。
有的mosfet内部有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
寄生二极管的作用，两种解释：
1、mosfet的寄生二极管，作用是防止vdd过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对mos管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免mos管被烧坏。
2、防止mos管的源极和漏极反接时烧坏mos管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿mos管。
igbt (insulated gate bipolar transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和mos管组成的复合型半导体器件，igbt作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中广泛应用。
igbt的电路符号没有统一，画原理图时一般是借用三极管、mos管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是igbt还是mos管。
同时还要注意igbt有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管是存在。
igbt内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护igbt脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为fwd（续流二极管），判断igbt内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量igbt的c极和e极，如果igbt是好的，c、e两极测得电阻值无穷大，则说明igbt没有体二极管。
mos管和igbt管的内部结构如下图
igbt是通过在mosfet的漏极上追加层而构成的。
igbt的理想等效电路如下图，igbt实际就是mosfet和晶体管三极管的组合，mosfet存在导通电阻高的缺点，但igbt克服了这一缺点，在高压时igbt仍具有较低的导通电阻。
另外，相似功率容量的igbt和mosfet，igbt的速度可能会慢于mosfet，因为igbt存在关断拖尾时间，由于igbt关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
在电路中，选用mos管作为功率开关管还是选择igbt管，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：
总的来说，mosfet优点是高频特性好，可以工作频率可以达到几百khz、上mhz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而igbt在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。
5G 时代来临,从手机到汽车,比亚迪电子的未来同样充满想象
智能家居系列报道(一)：苹果谷歌抢滩 国内厂商压力大
FPGA跨时钟域处理的注意事项
重新发现采用SIC FET的完美开关
嵌入式操作系统任务切换方法对比分析
为什么有些电路中使用MOS管？而有些电路用IGBT管？
新能源电瓶修复之电池快充慢充的知识介绍
亚马逊首次失去智能音箱市场的头把交椅 Google Home紧追猛赶
商汤绝影为乘员打造全新车载健康体验
智慧城市受欢迎的理由是什么
红外感应延时开关原理分析 浅谈红外感应延时开关功能特性
兆易创新携三大产品线隆重亮相2020慕尼黑上海电子展
安徽富信——致力于成为世界一流的电子元器件整合配套制造商
小米新系统本月将与小米6一起发布 MIUI 9新界面抢先看
Li-FiLED照明面板问世_酷派起诉小米专利侵权获受理
性价比比较高的蓝牙耳机有哪几款？性价比高的蓝牙耳机推荐
机器视觉在智能制造中处于怎样的位置
起亚K2怎么样？起亚k2裸车仅6.2万,上路能装15万逼格,油耗仅5.4L,非常符合一辆家用代步小车
干簧继电器的结构与特点
时序逻辑电路