VCSEL激光器与EEL激光器的区别

vcsel激光器与eel激光器的区别
vcsel激光器与eel激光器是两种不同的激光器技术,本文将详细介绍它们的区别。vcsel激光器是垂直腔面发射激光器的缩写,而eel激光器是边发射激光器的缩写。
1. 结构区别:
vcsel激光器的结构相对简单,包括n型和p型半导体材料,中间有一个双折射层,形成垂直腔导致垂直方向发射激光。而eel激光器则包含多层结构,其中包括高反射率反射镜和活动区,一般需要外接光学器件来实现激光的边发射。
2. 制造工艺不同:
vcsel激光器的制造工艺相对简单,使用标准的半导体工艺,可以批量生产。而eel激光器的制造工艺则需要更复杂的技术,包括光刻、薄膜沉积和外接光学组件等过程。
3. 发光方向不同:
vcsel激光器的发光方向垂直于晶片平面,而eel激光器则是平行于晶片平面发射激光。这是由于vcsel激光器的结构决定的,使得vcsel可以更容易地获得高质量的光束。
4. 输出功率和效率的差异:
vcsel激光器在较低的电流下可以实现高功率输出,通常能够获得数十mw的功率。而eel激光器需要更高的电流才能获得相同功率的输出。此外,vcsel激光器的效率也较高,通常可达到30-40%。而eel激光器的效率较低,一般在10-20%之间。
5. 谐振腔长度不同:
vcsel激光器的谐振腔长度较短,一般在数十至数百微米范围内,这使得vcsel的工作模式容易切换。而eel激光器的谐振腔长度较长,一般在数毫米至数厘米范围内,因此eel激光器的激光频率稳定性较好。
6. 光波控制的不同:
由于vcsel激光器的结构特点,可以方便地进行光波控制,例如改变功率、调制速度等。而eel激光器需要外接的光学元件来实现光波控制。
7. 成本差异:
vcsel激光器的制造成本相对较低,可以进行大规模生产。而eel激光器由于制造工艺的复杂性,所以成本较高。
总结起来,vcsel激光器和eel激光器在结构、制造工艺、发光方向、输出功率、谐振腔长度、光波控制和成本等方面都存在差异。vcsel激光器相对简单,具有较高的功率输出和效率,适用于大规模生产;而eel激光器具有更复杂的制造工艺,输出功率和效率较低,适用于一些特定应用。这两种激光器技术各自有着自己的优势和适用范围,选择适合的激光器取决于具体的应用需求。

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