富士通半导体推出基于2.7V-5.5V的宽电压FRAM产品MB85RC256V
2012年10月16日讯 --富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出其v系列的又一款新产品mb85rc256v。至今为止，富士通v系列fram产品已经涵盖了4kbit，16kbit，64kbit，256kbit等容量。mb85rc256v是富士通首款可在2.7v-5.5v电压范围内工作的fram产品，为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器fram供应商，富士通后续还将根据市场需求推出更大容量的产品。
fram产品结合了rom的非易性数据存储性能和ram的优势，具有几乎无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。富士通fram产品线具有多种接口和容量，包括工业标准的串行和并行接口；富士通fram产品具备了高速读写，高耐久性，低功耗三大特点,使其不同于其他非易失性存储器。fram产品广泛的应用于仪器仪表，工业控制，汽车电子，金融pos等各种先进领域，对于这些领域来说fram的高速读写，高耐久性，低功耗等特性非常重要。
▲mb85rc256v芯片图
凭借公司内部一体化的开发和制造流程，富士通半导体可以更加优化设计和工厂间的密切合作，这为富士通向客户稳定的提供高质量产品打下了基础。
富士通fram现有产品列表
mb85rc256v重要参数
● 256kb 存储容量，采用32kx 8位结构
● 1012次的读写次数
● 数据保存10年(+85°c)
● 2.7v-5.5v工作电压范围
串行外设接口-i2c
● 4.5v-5.5v,工作频率达1mhz
● 2.7v-4.5v,工作频率达400khz
温度及封装配置
● -40°c至 +85°c的工业温度范围
● 支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm两种尺寸的sop-8封装
供货时间
从2012年8月中旬起提供样品,2012年10月中旬起可以接受批量订货。
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● 1012次的读写次数
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● 2.7v-5.5v工作电压范围
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● 支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm两种尺寸的sop-8封装
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