对于加快工作进度，君芯IGBT栅极电阻Rg的选型
igbt凭借出色的高电压大电流特点，在电力电子领域中应用越来越广泛，作为绝缘栅控制的少子器件，其驱动电路的设计关乎着igbt能否可靠运行，故驱动电阻rg的选型的重要性对于igbt应用来说就至关重要；但rg的选型是一个十分复杂的工作，简单来说减小rg 会让导通和关断时间缩短且开关损耗也会相应的减小，但引发的门极振荡和高速的di/dt与dv/dt 可能会对系统带来负面的影响。同样的增加rg，虽然可以避免上述的一些问题，但除了会增加开关的延迟外，对系统保护与igbt 自身的保护以及散热设计也会产生程度不一的影响。
选型分析 因为电路中必然存在杂散电感，所以减小rg 时必须考虑di/dt 所产生的影响，过高的di/dt 除了会在igbt 关断时产生过大的峰值电压以致于产存在过压击穿的风险外，在开通时也容易造成二极管反向恢复电流过大及igbt内部的闩锁（latch-up）进而导致失效。同时过高的dv/dt 与di/dt 也会引发更高的共模与差模噪声，导致驱动电路甚至其它器件的误动作。当增大rg时必须考虑关断延时与门极电压抬升的影响，关断时间延长而造成死区的设置不足，除了会增大上下管直通的可能性，在igbt上下管开关断的过程中，产生的飘移电流会通过门极电阻，所以会给关断状态下的igbt 提供了更高的误导通的风险。给予足够的负压值作关断以防止误导通是最常见的作法，但是过大的负压除了进一步增加开通的延迟外，同时也也会加快igbt 关断的速度，增加过压击穿的风险。门极电阻也决定了短路承受电流的时间与门极电压的抬升的高度，过小的rg 会缩短igbt 短路电流可以承受的时间，造成保护不及。但过大的rg 也会促使短路电流的进一步增加，同样可能会导致igbt的闩锁或瞬间过温进而失效。另外rg 也影响了igbt 切换的损耗，进而会影响模块稳态操作时内部温度升高降低异常操作的余量
选型建议 设置栅极电阻时，会涉及到很多实际问题，故此处给出了涉及栅电阻时的注意事项：
a） 栅电阻尽量靠近igbt减小引线长度；
b） 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线；
c） 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近并平行差分走线；
d） 栅极电阻尽量使用无感电阻；
e） 如果是有感电阻，可以用几个并联以减小电感。
f） 栅极电阻应尽量靠近igbt栅极
设置栅极电阻时，对其功率建议如下：
p turn on = f × qg × +vge + cies × （−vge）
p（turn on） = p（turn off ）
p（driving） = p（turn on） + p（turn off ）
= f × qg × +vge + cies × −vge
选用门极电阻的功率等极必须大于计算总功耗的2 倍以上。
p（turn on）：开通时损耗在rg 的功耗；
p（turn off）：关断时损耗在rg 的功耗；
p（driving） ： 损耗在rg 的总功耗；
+vge：正向偏置电源电压；
-vge：反向偏置电源电压；
f：开关频率；
qg：从0v 到+vge 为止的充电电荷量；
cies：igbt 输入电容；
驱动电阻rg变化影响特性关系 在特定驱动情况下，栅极电阻变化与igbt参数特性变化如下表1所示。
表1：栅极电阻与igbt特征参数关系表
君芯igbt单管及模块rg选型推荐表
表2：igbt单管rg选型推荐表
表3：igbt模块rg选型推荐表
总结： 栅极电阻rg的选型是一个关乎系统稳定性的工作，通常是由工程师根据实际的性能要求调整而定，但通过君芯的选型建议，可以加快该工作的进度，确保客户能够较快应用君芯产品。
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a） 栅电阻尽量靠近igbt减小引线长度；
b） 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线；
c） 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近并平行差分走线；
d） 栅极电阻尽量使用无感电阻；
e） 如果是有感电阻，可以用几个并联以减小电感。
f） 栅极电阻应尽量靠近igbt栅极
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p turn on = f × qg × +vge + cies × （−vge）
p（turn on） = p（turn off ）
p（driving） = p（turn on） + p（turn off ）
= f × qg × +vge + cies × −vge
选用门极电阻的功率等极必须大于计算总功耗的2 倍以上。
p（turn on）：开通时损耗在rg 的功耗；
p（turn off）：关断时损耗在rg 的功耗；
p（driving） ： 损耗在rg 的总功耗；
+vge：正向偏置电源电压；
-vge：反向偏置电源电压；
f：开关频率；
qg：从0v 到+vge 为止的充电电荷量；
cies：igbt 输入电容；
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