Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON)导通电阻低至0.65 mW
小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性
宾夕法尼亚、malvern — 2022年2月7日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出两款n沟道trenchfet® mosfet---60 v sijh600e和80 v sijh800e，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 v sijh600e和80 v sijh800e具有超低导通电阻，工作温度可达+175 °c以及高连续漏极电流。节省空间的powerpak® 8x8l封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力，有助于提高板级可靠性。
sijh600e和sijh800e超低导通电阻—10 v下典型值分别为0.65 mw和1.22 mw—比同代powerpak so-8封装器件分别降低54 %和52 %，从而减小了传导功耗，实现节能的效果。
为提高功率密度，sijh600e和sijh800e连续漏极电流分别为373 a和288 a，封装占位面积比d2pak封装减小60 %，高度降低57 %。为节省电路板空间，每款mosfet还可以用来取代两个并联的powerpak so-8器件。
该vishay siliconix器件工作温度可达+175 °c，性能稳定可靠，适用于电源、电机驱动控制、电池管理和电动工具等应用同步整流。器件采用无铅 （pb） 封装、无卤素、符合rohs标准，经过100 % rg和uis测试。
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