根据电荷存储效应应该如何选择二极管
为什么会有反向的电压呢?
1、二极管在开关过程中的波形为什么会有一个向下的过冲呢?
首先在dcdc电源关断输入与输出的路径时，即dcdc电源开关管关断时，电源的电流路径发生了变化。变成了如下图所示：
电流回路
开关管关断时，电感电流不变，电容两端电压不变。则电流经电感l、电容c、负载r、二极管vd回到电感l左端，形成一个回路。二极管vd正极a为0，经二极管vd至b，则b电压为二极管钳位电压-vr。
在开关管导通瞬间二极管自身的反应又是什么样的呢?
二极管由转为正向传导模式转为反向承压模式时，会让电流发生并非立即出现的停止流动情况，这种效应我们称之为电荷存储效应。这会导致二极管存在一个关断时间，即：反向恢复时间也就是二极管从导通状态转换成关断状态所需的时间。
通常在开关电源连续模式反向恢复过程中，二极管流过较大的反向电流同时承受了较大的反向电压，因此造成了很大的反向恢复损耗，所以一般选反向恢复时间越短的越好，在电压应力较低的情况下肖特基是首选。常用的sic二极管通常就是肖特基结构，反向恢复时间远低于pin二极管。
产生反向恢复过程的原因——电荷存储效应
产生上述现象的原因是由于二极管外加正向电压vf时，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，这样，就使载流子有相当数量的存储，在p区内存储了电子，而在n区内存储了空穴 ，它们都是非平衡少数载流于，如下图所示。
电荷存储
空穴由p区扩散到n区后，在一定的路程lp(扩散长度)内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在lp范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小 。正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。电子扩散到p区的情况也类似，下图为二极管中存储电荷的分布。
电荷分布
当输入电压突然由+vf变为-vr时p区存储的电子和n区存储的空穴将通过下列两个途径逐渐减少：
① 在反向电场作用下，p区电子被拉回n区，n区空穴被拉回p区，形成反向漂移电流ir，如下图所示;
反向漂移电流
②与多数载流子复合。
在这些存储电荷消失之前，pn结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，pn结的电阻仍很小，与rl相比可以忽略，所以此时反向电流ir=(vr+vd)/rl。vd表示pn结两端的正向压降，一般 vr>>vd，即 ir=vr/rl。在这段期间，ir基本上保持不变，主要由vr和rl所决定。经过时间ts后p区和n区所存储的电荷已显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流ir逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt，二极管转为截止。
由上可知，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。
根据电荷存储效应应该如何选择二极管呢?
二极管和一般开关的不同在于,“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降v f,“关”态有微小的电流i0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- i0) , 而是在一段时间ts内, 反向电流始终很大, 二极管并不关断。经过ts后, 反向电流才逐渐变小, 再经过tf时间, 二极管的电流才成为(- i0) , ts称为储存时间, tf称为下降时间。tr= ts+ tf称为反向恢复时间, 以上过程称为反向恢复过程。这实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。
该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比tr短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。
反向恢复时间
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二极管由转为正向传导模式转为反向承压模式时，会让电流发生并非立即出现的停止流动情况，这种效应我们称之为电荷存储效应。这会导致二极管存在一个关断时间，即：反向恢复时间也就是二极管从导通状态转换成关断状态所需的时间。
通常在开关电源连续模式反向恢复过程中，二极管流过较大的反向电流同时承受了较大的反向电压，因此造成了很大的反向恢复损耗，所以一般选反向恢复时间越短的越好，在电压应力较低的情况下肖特基是首选。常用的sic二极管通常就是肖特基结构，反向恢复时间远低于pin二极管。
产生反向恢复过程的原因——电荷存储效应
产生上述现象的原因是由于二极管外加正向电压vf时，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，这样，就使载流子有相当数量的存储，在p区内存储了电子，而在n区内存储了空穴 ，它们都是非平衡少数载流于，如下图所示。
电荷存储
空穴由p区扩散到n区后，在一定的路程lp(扩散长度)内，一方面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在lp范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定空穴浓度分布，靠近结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小 。正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。电子扩散到p区的情况也类似，下图为二极管中存储电荷的分布。
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当输入电压突然由+vf变为-vr时p区存储的电子和n区存储的空穴将通过下列两个途径逐渐减少：
① 在反向电场作用下，p区电子被拉回n区，n区空穴被拉回p区，形成反向漂移电流ir，如下图所示;
反向漂移电流
②与多数载流子复合。
在这些存储电荷消失之前，pn结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，pn结的电阻仍很小，与rl相比可以忽略，所以此时反向电流ir=(vr+vd)/rl。vd表示pn结两端的正向压降，一般 vr>>vd，即 ir=vr/rl。在这段期间，ir基本上保持不变，主要由vr和rl所决定。经过时间ts后p区和n区所存储的电荷已显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流ir逐渐减小到正常反向饱和电流的数值，经过时间tt，二极管转为截止。
由上可知，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需要的时间。
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