Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)
采用易于使用的封装，适用于可穿戴设备和大批量应用
奈梅亨，2020年4月22日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家nexperia发布了一系列mosfet产品，采用超小型dfn0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻rds（on），采用常用的0.35 mm间距，从而简化了pcb组装过程。
pmh系列mosfet采用了dfn0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代dfn1006器件相比，节省了超过36%的空间。由于采用了先进工艺流程，这些新器件提供低导通电阻rds（on），与竞争对手产品相比减小了60%以上，它们还具备优良的esd性能，低至0.7 v的超低vgs电压阈值，这个参数对低驱动电压的便携式产品应用至关重要。
nexperia产品经理sandy wang评论道：“新一代可穿戴设备不断突破消费电子技术的界限。智能手机、智能手表、健身跟踪器和其他创新技术的演进需要微型化mosfet，用以提供领先的性能和效率，从而实现越来越多的复杂功能。nexperia拥有很高产能和制造能力，能够进行扩产，以最大限度地满足市场需求。”
采用新型dfn0606封装的九款pmh器件现已上市。
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