基于氮化镓的LED具有更低成本效益
过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司（plessey semiconductors ltd.，位于英国普利茅斯），已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的aixtron（爱思强）公司，并用于生产高亮度led。普莱思正在利用自身的技术制造基于硅衬底的氮化镓晶片。
“我们使用更薄的氮化镓层，和其他6-8μm的氮化镓硅工艺技术相比，我们仅仅只有2.5μm。”普莱塞的高亮度led产品线主任neil harper在一份声明中说。更薄的氮化镓意味着较少的沉积时间和单位时间内的更多的led产能。
基于硅衬底的gan led有150 lm/w的效能，而且普莱塞预计95%的产能效益为，在1mm2的面积上6个晶片可以生产14000个高亮度led芯片。普莱塞还打算将在将来8英寸的衬底上有更大的成本减少。
蓝色led有个显著的特征是，首批样品在峰值发射时，在波长为460nm处电流为350ma。这项技术可以延伸到其他发射波长，例如，在磷的转换下，500nm的青色和530nm的琥珀绿可实现白色光输出。在今年晚些时候，黑白输出将起初实现提供80 lm/w，预计到2012年6月能提供150 lm/w。
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