半导体应变计性能

实验 半导体应变计性能
实验原理:
半导体应变计主要是根据硅半导体材料的压阻效应制成,当半导体晶体受到作用力时,晶体除产生应变外,电阻率也会发生变化。
与金属应变片相比,半导体应变计灵敏系数很高,可达100~200,但是在稳定性及重复性方面都不如金属箔式片。实际使用时都是采用全桥工作形式以达到相对稳定。
实验所需部件:
贴于双平行悬臂梁上的半导体应变计(一片)、直流稳压电源(2v)、应变式传感器实验模块、电压表、应变加热器
实验步骤:
1、按图(4)将半导体应变计接入差动放大器、电桥、电压表、注意直流激励输出电压为2v,以免因为电压过高引起半导体应变计自热。
2、连接主机与模块的电源并开启,调节电桥wd电位器,使系统输出为零,此时差动放大器增益可置最大电压表可先置20v 档。
3、用手提、压平行悬臂梁上下各约5mm ,观察电路输出电压变化范围、应变梁弹性恢复及重复性情况。
4、打开“应变加热”开关,观察半导体单臂电桥的温飘情况。(此时电压表应放20v 档)
注意事项:
由于半导体应变计非常灵敏,当环境温度有微小变化时都会引起电桥不平衡,电路输出电压变化。随着加热温度的改变,半导体单臂电桥系统输出电压要有一个相当长的时间才能基本稳定。

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