PowerMOSFET在变频器电路中如何起续流保护作用
power mosfet全称为功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管。其电气符号及根本接法如图所示。
powermosfet有三个极，即源极（s）、漏极（d）和栅极（g）。控制信号“gs加于栅极和源极之间，改动ugs的大小，便可改动漏极电流id的大小。由于栅—源极之间的阻抗十分大，因而控制电流能够极小，简直为0，所以驱动功率很小。器件内寄生有反向二极管，它在变频器电路中起续流维护作用。
①最大漏极电流idm 是允许连续运转的最大漏极电流。
②击穿电压uds 是指漏极与源极之间的击穿电压，也就是指管子在截止状态下，漏极与源极之间的最大维持电压。
③阈值电压ugs 是可以使mosfet管子导通的最低栅极电压。该电压为2- 6v。实践运用时，栅极驱动电压应为（1.5-2.5）ucs，即15v左右。
④导通电阻ron是mosfet管子导通时，漏极与源极之间的电阻值。ron决议了管子的通态损耗。导通电阻rcn有正温度系数，即电流越大，ron的值也因附加发热而自行增大。因而它对电流的增加有抑止作用。这在器件并联应用时有自动平衡电流的效果。
⑤开关频率 mosfet的开关速度和工作频率要比gtr高1-2个数量级。普通mosfet的开关时间为几微秒至几十微秒，最高频率可达50khz以上。
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②击穿电压uds 是指漏极与源极之间的击穿电压，也就是指管子在截止状态下，漏极与源极之间的最大维持电压。
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