2021 ~ 2027年IGBT全球市场规模CAGR将达7%
绝缘闸双极晶体管(insulated gate bipolar transistor；igbt)受益于新能源与碳中和发展趋势，2021~2027年市场规模将以复合年均成长率(cagr) 7%成长至93.8亿美元。商业模式方面，由于igbt产业各环节附加价值不同于其他ic，主要集中在制造端与封测端，推动idm模式成为igbt业者做大、做强的主流经营方式，2021年全球前三大业者皆为idm业者，且合计市占率超过50%。
igbt主要使用场景为高电压、大电流、高功率，相较于芯片性能表现，业者更重视需时间验证的产品稳定性与可靠性，因此仰赖工程师团队长期经验积累，从芯片设计、制造，再到模块封装皆需在客户反馈的基础上进行长时间调整。在产品生命周期普遍要求5~15年的条件下，igbt客户验证周期长且转换成本高，导致客户在选择igbt供应商时较为保守，往往跟随所在产业的龙头业者决定igbt供应商。
igbt在庞大商机的牵动下，部分业者扩产规划不再以6吋与8吋产线为重，而是逐渐转移至更具成本效益的12吋。digitimes research预估，2022年全球igbt仅6.4%于12吋产线生产，2027年该比重将达18.2%，然在产线迁移的过程中，晶圆薄化后的加工环节将导致晶圆翘曲与破片问题更为显著。
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