芯经验——常用存储器形式
1.rom(read-only memory)
rom是一种非易失性存储器，制造后内部储存不能进行电子修改，断电后储存依然保留。这类存储器可用于存储电子设备寿命内极少更改的软件，比如查表数据或boot代码。当然，如需修复错误或者升级代码，只能通过更换硬件实现。
严格意义上来说，rom是指硬连接的存储器，例如二极管矩阵或掩模rom集成电路（ic），只能在制造阶段写入。为了便于用户更改，又出现了可重复擦除和写入的eprom、eeprom，这类存储器速度相对较慢，擦除或写入一般需要特殊工艺，可重复次数也有一定限制。
2.eprom(erasable programmable read-only memory)
eprom是基于浮栅结构的rom，一般指uv-eprom。该存储器烧写后，可以通过将其暴露在强紫外光下进行擦除。所以这类器件封装都有透窗，很容易辨认。
3.eeprom(electrically erasable programmable read-only memory)
eeprom设计为支持电子修改，通过开始信号，就可以对其进行烧写和擦除。最初的eeprom仅限于单字节操作，导致速度较慢，现代eeprom允许page/block操作（flash）。eeprom的重复擦除和写入次数最高可达一百万次以上。
4.flash
flash是一种专为高速读取和大容量存储设计的eeprom，特点是大block/page写入（一般512字节以上）和有限的写入周期数（一般为10,000次）。根据位线和字线是否拉高或拉低，flash分为 nor flash和nand flash两种类型。
nand flash可以按block/page进行擦除、写入和读取，nor flash允许将单字写入、位置或读取。flash设备通常由一个或多个flash chip以及一个单独的闪存控制器芯片组成。flash具有快速的读取访问时间，但一般不如静态ram或rom快，并且单block/page写入次数寿命较少。
flash与eeprom没有明确区分，一般“eeprom”通常用于定义具有小block（小至一个字节）和长寿命（通常为1,000,000 次）的非易失性存储器。近年来，flash已经大规模替代了eeprom，并且部分flash成本已经低于eeprom。
5.ram(random-access memory)
ram是一种断电即丢失的存储形式。ram可以按任何顺序读取和更改，允许在几乎相同的时间内读取或写入数据，而与存储物理位置无关。基于这一特点常用来存放工作数据和对实时性要求高的代码。有时rom或flash中代码，先被复制到ram中然后再运行，以提高运行速度。
ram包含多路复用和多路分解电路，用于将数据线连接到寻址存储以读取或写入条目。ram往往有多条数据线，一般按照“8位”或“16位”等分类。ram根据实现电路不同分为sram、dram、sdram、sgram等型号。
关于中科昊芯
“智由芯生 创享未来”，中科昊芯是数字信号处理器专业供应商。作为中国科学院科技成果转化企业，瞄准国际前沿芯片设计技术，依托多年积累的雄厚技术实力及对产业链的理解，以开放积极的心态，基于开源指令集架构risc-v，打造多个系列数字信号处理器产品，并构建完善的处理器产品生态系统。产品具有广阔的市场前景，可广泛应用于工业控制及电机驱动、数字电源、光伏、储能、新能源汽车、消费电子、白色家电等领域。
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eprom是基于浮栅结构的rom，一般指uv-eprom。该存储器烧写后，可以通过将其暴露在强紫外光下进行擦除。所以这类器件封装都有透窗，很容易辨认。
3.eeprom(electrically erasable programmable read-only memory)
eeprom设计为支持电子修改，通过开始信号，就可以对其进行烧写和擦除。最初的eeprom仅限于单字节操作，导致速度较慢，现代eeprom允许page/block操作（flash）。eeprom的重复擦除和写入次数最高可达一百万次以上。
4.flash
flash是一种专为高速读取和大容量存储设计的eeprom，特点是大block/page写入（一般512字节以上）和有限的写入周期数（一般为10,000次）。根据位线和字线是否拉高或拉低，flash分为 nor flash和nand flash两种类型。
nand flash可以按block/page进行擦除、写入和读取，nor flash允许将单字写入、位置或读取。flash设备通常由一个或多个flash chip以及一个单独的闪存控制器芯片组成。flash具有快速的读取访问时间，但一般不如静态ram或rom快，并且单block/page写入次数寿命较少。
flash与eeprom没有明确区分，一般“eeprom”通常用于定义具有小block（小至一个字节）和长寿命（通常为1,000,000 次）的非易失性存储器。近年来，flash已经大规模替代了eeprom，并且部分flash成本已经低于eeprom。
5.ram(random-access memory)
ram是一种断电即丢失的存储形式。ram可以按任何顺序读取和更改，允许在几乎相同的时间内读取或写入数据，而与存储物理位置无关。基于这一特点常用来存放工作数据和对实时性要求高的代码。有时rom或flash中代码，先被复制到ram中然后再运行，以提高运行速度。
ram包含多路复用和多路分解电路，用于将数据线连接到寻址存储以读取或写入条目。ram往往有多条数据线，一般按照“8位”或“16位”等分类。ram根据实现电路不同分为sram、dram、sdram、sgram等型号。
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