MSPM0L1306开发板教程- NVM(FLASH)
mspmpl系列中的nvm（non volatile memory）非易失性存储，也就是我们常说的flash。
在mspm0l系列的 flash中，一个sector为1kb，一个bank可达256kb，而mspm0l系列中，大部分型号也就只有一个bank，所以在只有一个bank的型号中，bank操作会涉及到整个片内的flash，flash控制器数据操作是word操作，也就是4个字节，当然也支持1字节和2字节的写入操作。
下面以64kb flash的芯片举例，flash的地址分布如下，nonmain就是bsl区域，factory为出厂预存数据。
下面通过一个flash的写入的程序来看下flash写入流程：
flash擦写操作无需sysconfig的配置，可以直接调用函数来完成，每次执行完成擦写操作的时候，flash的写保护寄存器都会置位，也就是自动保护起来，所以下一次操作之前都需要重新解锁。
执行完成后，在keil中debug查找写入地址0x00001000的数据，已经成功写入所有的数据。
配套例程为nvm，需要复制到sdk目录下运行。
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