详解单晶的制作方法
1晶圆制造
1.1单晶的制造
1.1.1单晶
半导体制造中需要的单晶(单晶)是原子的规则排列。有多晶(许多小的单晶)和非晶硅(无序结构)。根据晶格的取向，硅片具有不同的表面结构，从而影响电荷载流子迁移率或在湿化学中的行为等各种性质、硅的各向异性腐蚀。
在微观力学中，晶体取向特别重要。它允许在(110)硅上具有垂直壁的微通道，而侧面角为54.74◦
在(100)方向上是可能的。
1.1.2提拉法
区域清洁后出现的多晶硅在石英中熔化坩埚几乎高于硅的熔点。现在可以将掺杂剂(例如硼或磷)添加到熔体中，以实现适当的电学特性
单晶。
旋转杆上的种子晶体(完美单晶)被带到表面硅熔体。这个种子晶体假装了硅晶体的方向。正在联系有了籽晶，熔体就会超越其晶体结构。事实是坩埚温度仅略高于硅的熔点，熔体在晶种上立即凝固，晶体生长
种子随着不断旋转缓慢向上拉，同时与熔体保持恒定接触。坩埚的转动方向与籽晶相反。a.
熔体的恒定温度对于确保稳定生长至关重要。直径
单晶的拉伸速度由拉伸速度决定，拉伸速度为2到25厘米/小时。
拉伸速度越高，晶体越薄。整个装置位于
在受控气氛中，使硅不会发生氧化。
第2页
1.1单晶的制造
该程序的缺点是，由于掺杂剂在熔体中的溶解度大于在固态中的溶解度，因此在该过程中，熔体与掺杂剂一起累积。
因此，沿硅棒的掺杂浓度不是恒定的。也包括杂质或金属可以从坩埚中溶解并形成晶体。这种方法的优点是成本较低，并且能够生产更大的产品flot区工艺中的晶片尺寸。
1.1.3浮区硅
与提拉法相反，多晶硅不是完全熔融的，但是，如区域清洁，只有小面积(几毫米)。同样，种子晶体，将被引入多晶硅的末端棒，设置晶体结构。多晶是熔融的，呈现出幼苗。加热区域沿着多晶棒缓慢引导硅棒慢慢地转变成单晶。
由于只有一小部分多晶硅是熔融的，因此很难对其进行极化(杂质由于其较高的溶解度而积聚在底部)。兴奋剂是通过向惰性气体中添加掺杂剂(如使用二硼烷或磷化氢)来实现在装置周围流动。
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1.1单晶的制造
1.1.1单晶
半导体制造中需要的单晶(单晶)是原子的规则排列。有多晶(许多小的单晶)和非晶硅(无序结构)。根据晶格的取向，硅片具有不同的表面结构，从而影响电荷载流子迁移率或在湿化学中的行为等各种性质、硅的各向异性腐蚀。
在微观力学中，晶体取向特别重要。它允许在(110)硅上具有垂直壁的微通道，而侧面角为54.74◦
在(100)方向上是可能的。
1.1.2提拉法
区域清洁后出现的多晶硅在石英中熔化坩埚几乎高于硅的熔点。现在可以将掺杂剂(例如硼或磷)添加到熔体中，以实现适当的电学特性
单晶。
旋转杆上的种子晶体(完美单晶)被带到表面硅熔体。这个种子晶体假装了硅晶体的方向。正在联系有了籽晶，熔体就会超越其晶体结构。事实是坩埚温度仅略高于硅的熔点，熔体在晶种上立即凝固，晶体生长
种子随着不断旋转缓慢向上拉，同时与熔体保持恒定接触。坩埚的转动方向与籽晶相反。a.
熔体的恒定温度对于确保稳定生长至关重要。直径
单晶的拉伸速度由拉伸速度决定，拉伸速度为2到25厘米/小时。
拉伸速度越高，晶体越薄。整个装置位于
在受控气氛中，使硅不会发生氧化。
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1.1单晶的制造
该程序的缺点是，由于掺杂剂在熔体中的溶解度大于在固态中的溶解度，因此在该过程中，熔体与掺杂剂一起累积。
因此，沿硅棒的掺杂浓度不是恒定的。也包括杂质或金属可以从坩埚中溶解并形成晶体。这种方法的优点是成本较低，并且能够生产更大的产品flot区工艺中的晶片尺寸。
1.1.3浮区硅
与提拉法相反，多晶硅不是完全熔融的，但是，如区域清洁，只有小面积(几毫米)。同样，种子晶体，将被引入多晶硅的末端棒，设置晶体结构。多晶是熔融的，呈现出幼苗。加热区域沿着多晶棒缓慢引导硅棒慢慢地转变成单晶。
由于只有一小部分多晶硅是熔融的，因此很难对其进行极化(杂质由于其较高的溶解度而积聚在底部)。兴奋剂是通过向惰性气体中添加掺杂剂(如使用二硼烷或磷化氢)来实现在装置周围流动。
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