CCPAK - GaN FET顶部散热方案
长期以来，在功率应用方案中，热管理一直是挑战。当项目有空间放置大型的散热器时，从电路板和半导体器件上将废热导出较为容易。然而，随着输出功率提升以及功率密度和电路密度的要求，散热处理的难度越来越大。对于当今的大电流、高功率应用和650 v gan功率场效应晶体管，通常需要更高效的器件散热方式，甚至已成为强制性的要求。因此，顶部散热方式的 ccpak封装，可以提供更佳散热性能。
在大功率器件封装中，最主要的散热要素就是传导路径。对于传统的smd封装，废热通过器件的底部散热，将器件引脚和pcb作为散热器使用。因为采用pcb进行散热的能力是有限的，为提高底部散热功率mosfet的散热性能，通常在铺铜设计中，加入许多“过孔”，作为热传导的路径。
热传播现象
在某些应用中，要求更高的散热效率或者需要减少传输至pcb的热量，尤其是大电流既高功率的项目。例如数据中心的电源、通信基站设施、在600v或更高电压中作动的汽车系统。对于宽带隙器件(wbg) 要求更高功率密度和更高的功率耗散，因此更具有挑战性。在这种情况下，nexperia 650 v gan fet 顶部散热的ccpak 能够大幅提高性能。通过对pcb布局和半导体器件进行散热的优化，顶部散热可实现更高的功率密度并延长系统寿命。
ccpak1212i – 轻松翻转实现顶部散热
由nexperia开发的ccpak封装，专注于为650 v gan hemt 器件提供最优化的器件封装。其中一个关键技术 使用铜夹片技术 copper-clip。如我之前在博客中讨论的“ccpak：铜夹片技术进入高压应用”，在内部铜夹片设计中加入支柱，可解决这一个挑战。不需要设计人员更改电路板的布局（使用外部连接时需要更改布局），这些内部支柱还提供一定程度的冗余、更出色的散热性能和分布电阻。
采用ccpak封装，很容易翻转器件的外部接脚，让负责导热的铜片外露在器件封装顶部。然后，该外露的铜片可将芯片和pcb的废热更高效传导出去。对于更大电流既更高功率的应用，可以通过绝缘导热垫片连接到额外的散热器。
因此，采用nexperia 顶部散热 ccpak1212i 650 v gan fet ，可实现以下优点 ，更快的切换速度，提升效率，缩小尺寸，减轻重量，最大限度降低总体系统成本，同时为 大电流/高功率项目的设计人员，提供更好的散热效能。简而言之，与底部散热的器件相比，使用顶部散热的nexperia器件，可以实现更高的功率密度。
人工智能驶入“AI+产业”快车道
2018年人脸识别技术火了，触膜、指纹识别就淘汰了？
超声波电源驱动电路线路板设计
沪硅产业上半年营收15.74亿元，300mm半导体硅片月产能已达37万片
S7-400程序丢失的教训
CCPAK - GaN FET顶部散热方案
智慧农业设备监控及与预警运维管理系统
如何选择合适的电源模块
一文看懂新型环保材料现状及发展趋势
中兴通讯：从芯片到架构保持研发高投入
Win11要来了？微软计划将对下一版Win10的开始菜单大手术
12v继电器的作用和原理介绍
运动控制器PSO视觉飞拍与精准输出的C++开发（一）：单轴PSO
总结5G毫米波的九大创新技术优势
TCL科技拟350亿元投建广州华星第8.5代可卷绕印刷OLED/QLED产线等项目
由文思海辉共建的“物联网产业学院”正式揭牌成立
新唐多款全新系列ARM Cortex-M0 32位单片机
对于植物根系分析系统我们该如何选择
无保护左转弯成无人驾驶技术难点
ARM技术助力AI和机器学习发展前沿产品
在大功率器件封装中，最主要的散热要素就是传导路径。对于传统的smd封装，废热通过器件的底部散热，将器件引脚和pcb作为散热器使用。因为采用pcb进行散热的能力是有限的，为提高底部散热功率mosfet的散热性能，通常在铺铜设计中，加入许多“过孔”，作为热传导的路径。
热传播现象
在某些应用中，要求更高的散热效率或者需要减少传输至pcb的热量，尤其是大电流既高功率的项目。例如数据中心的电源、通信基站设施、在600v或更高电压中作动的汽车系统。对于宽带隙器件(wbg) 要求更高功率密度和更高的功率耗散，因此更具有挑战性。在这种情况下，nexperia 650 v gan fet 顶部散热的ccpak 能够大幅提高性能。通过对pcb布局和半导体器件进行散热的优化，顶部散热可实现更高的功率密度并延长系统寿命。
ccpak1212i – 轻松翻转实现顶部散热
由nexperia开发的ccpak封装，专注于为650 v gan hemt 器件提供最优化的器件封装。其中一个关键技术 使用铜夹片技术 copper-clip。如我之前在博客中讨论的“ccpak：铜夹片技术进入高压应用”，在内部铜夹片设计中加入支柱，可解决这一个挑战。不需要设计人员更改电路板的布局（使用外部连接时需要更改布局），这些内部支柱还提供一定程度的冗余、更出色的散热性能和分布电阻。
采用ccpak封装，很容易翻转器件的外部接脚，让负责导热的铜片外露在器件封装顶部。然后，该外露的铜片可将芯片和pcb的废热更高效传导出去。对于更大电流既更高功率的应用，可以通过绝缘导热垫片连接到额外的散热器。
因此，采用nexperia 顶部散热 ccpak1212i 650 v gan fet ，可实现以下优点 ，更快的切换速度，提升效率，缩小尺寸，减轻重量，最大限度降低总体系统成本，同时为 大电流/高功率项目的设计人员，提供更好的散热效能。简而言之，与底部散热的器件相比，使用顶部散热的nexperia器件，可以实现更高的功率密度。
人工智能驶入“AI+产业”快车道
2018年人脸识别技术火了，触膜、指纹识别就淘汰了？
超声波电源驱动电路线路板设计
沪硅产业上半年营收15.74亿元，300mm半导体硅片月产能已达37万片
S7-400程序丢失的教训
CCPAK - GaN FET顶部散热方案
智慧农业设备监控及与预警运维管理系统
如何选择合适的电源模块
一文看懂新型环保材料现状及发展趋势
中兴通讯：从芯片到架构保持研发高投入
Win11要来了？微软计划将对下一版Win10的开始菜单大手术
12v继电器的作用和原理介绍
运动控制器PSO视觉飞拍与精准输出的C++开发（一）：单轴PSO
总结5G毫米波的九大创新技术优势
TCL科技拟350亿元投建广州华星第8.5代可卷绕印刷OLED/QLED产线等项目
由文思海辉共建的“物联网产业学院”正式揭牌成立
新唐多款全新系列ARM Cortex-M0 32位单片机
对于植物根系分析系统我们该如何选择
无保护左转弯成无人驾驶技术难点
ARM技术助力AI和机器学习发展前沿产品