美研究员设计出垂直集成氮化镓LED结构,有助提升LED显示器效率
美国罗彻斯特理工学院（rochester institute of technology）的研究者新设计出一种垂直集成氮化镓led结构，有助于提高micro led显示器的效率。
罗彻斯特理工学院的马修（matthew hartensveld）和张敬（音译，jing zhang）在 ieee electron device letter期刊上发表了一项研究，描述了他们将纳米线氮化镓场效电晶体（field-effect transistors简称“fets”）和氮化铟镓led集成在一起的方法。在这个有创意的新结构中，电晶体被放置在led下面以实现控制和调光。
来源：罗彻斯特理工学院hartensveld和zhang
据悉，研究员通过结合电晶体和led，创造出一个紧凑的结构，且制造过程简易。在改善micro led显示器发展方面，这个新设计的结构是一个性价比更高的选择。
研究表明，新结构中，一个区域可放置更多的led，因此，像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸变小，像素密度变大，这对于发展micro led显示器有很大的帮助。
但是，目前垂直设计的局限性在于关闭led需要一个负电压，对此，研究者正在努力改进中。
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